[发明专利]非平面晶体管的源极/漏极触点

权利要求书

1.一种装置，包括：

包括硅的鳍片；

在所述鳍片的至少一部分之上的非平面栅极电极；

在所述栅极电极的第一侧上的第一隔板；

在所述栅极电极的第二侧上的第二隔板；

第一介电材料，所述第一隔板位于所述栅极电极与所述第一介电材料的至少一部分之间；

在所述栅极电极上方的覆盖介电层，所述第一介电材料的至少一部分位于所述覆盖介电层下方；

在所述覆盖介电层上方的第二介电层；

至少部分地在所述鳍片中的源极区，所述源极区包括硅和至少一个其它元素；

在所述源极区上的硅化物区，所述硅化物区包括硅和钛并至少基本上无镍；

源极触点，其与所述第二介电层的至少一部分、所述覆盖介电层的至少一部分、以及所述第一介电材料的至少一部分接触，所述源极触点包括：

在所述触点的底部和侧面上的界面层，所述触点界面层包括钛和氮；以及

触点填充材料，所述触点填充材料包括钨，所述界面层位于所述触点填充材料的至少一部分与在所述触点的底部处的所述硅化物区之间，并且所述界面层位于所述填充材料的至少一部分与在所述触点的侧面处的所述第一介电材料的至少一部分之间，并且所述界面层还位于所述触点填充材料的至少一部分与在所述触点的侧面处的所述第二介电材料的至少一部分之间；以及

其中在穿过所述鳍片的至少一个截面中，整个所述硅化物区位于所述源极触点下面。

2.根据权利要求1所述的装置，其中，所述源极区至少部分地位于所述鳍片中的凹槽中。

3.根据权利要求1所述的装置，其中，所述源极区包括所述鳍片的掺杂区。

4.根据权利要求1所述的装置，其中，所述覆盖层包括硅和氮。

5.根据权利要求1所述的装置，其中，所述第一隔板和所述第二隔板包括硅和氮。

6.根据权利要求1所述的装置，其中，所述覆盖层基本上不在所述第一介电材料上方。

7.根据权利要求1所述的装置，其中，所述源极触点的最接近所述栅极电极的第一侧与所述覆盖层接触，并且所述源极触点的相对于所述第一侧的第二侧不与所述覆盖层接触。

8.根据权利要求1所述的装置，其中，所述第二介电材料包括硅和氧。

9.根据权利要求1所述的装置，其中，所述硅化物区不延伸到所述源极触点的侧面之外。

10.一种装置，包括：

包括硅的鳍片；

在所述鳍片的至少一部分之上的非平面栅极电极；

在所述栅极电极的第一侧上的第一隔板；

在所述栅极电极的第二侧上的第二隔板；

第一介电材料，所述第一隔板位于所述栅极电极与所述第一介电材料的至少一部分之间；

在所述栅极电极上方的覆盖介电层，所述第一介电材料的至少一部分位于所述覆盖介电层下方；

在所述覆盖介电层上方的第二介电层；

至少部分地在所述鳍片中的源极区，所述源极区包括硅和至少一个其它元素；

在所述源极区上的硅化物区，所述硅化物区包括硅和钛并至少基本上无镍；

源极触点，所述源极触点延伸穿过所述第二介电层的至少一部分、所述第一介电材料的至少一部分，并与所述覆盖介电层的至少一部分和所述第一介电材料的至少一部分接触，所述源极触点包括界面层和所述界面层内的填充材料，所述界面层包括钛和氮，并且所述填充材料包括钨，以及

其中在穿过所述鳍片的至少一个截面中，基本上整个所述硅化物区位于所述源极触点下面。

11.根据权利要求10所述的装置，其中，所述源极区至少部分地位于所述鳍片中的凹槽中。

12.根据权利要求10所述的装置，其中，所述源极区包括所述鳍片的掺杂区。

13.根据权利要求10所述的装置，其中，所述覆盖层包括硅和氮。

14.根据权利要求10所述的装置，其中，所述第一隔板和所述第二隔板包括硅和氮。

15.根据权利要求10所述的装置，其中，所述覆盖层基本上不在所述第一介电材料上方。