[发明专利]一种铜柱凸点的封装方法及封装结构

权利要求书

1.一种铜柱凸点的封装方法，其特征在于，所述封装方法包括：

1)提供一具有金属焊盘的半导体衬底，所述半导体衬底表面覆盖有绝缘层，刻蚀所述绝缘层暴露出所述金属焊盘；

2)采用电镀法于所述金属焊盘表面形成氧化石墨烯层并在水合肼蒸汽下还原成还原氧化石墨烯层；

3)采用电镀法于所述还原氧化石墨烯层表面形成铜柱；

4)采用电镀法于所述铜柱表面形成金属阻挡层；

5)采用电镀法于所述金属阻挡层表面形成焊料金属，并采用高温回流工艺于所述金属阻挡层表面形成焊料凸点，其中，

步骤2)中，包括步骤：

2-1)采用旋涂工艺于待封装结构表面旋涂光刻胶；

2-2)采用光刻工艺于欲制备铜柱凸点的位置打开窗口；

2-3)基于所述窗口，采用电镀法于金属焊盘表面形成所述氧化石墨烯层并在水合肼蒸汽下还原成所述还原氧化石墨烯层；

步骤3)中，基于所述光刻胶的窗口，采用电镀法于所述还原氧化石墨烯层表面依次形成所述铜柱、所述金属阻挡层以及所述焊料金属。

2.根据权利要求1所述的铜柱凸点的封装方法，其特征在于：所述绝缘层表面还形成有聚酰亚胺层。

3.根据权利要求1所述的铜柱凸点的封装方法，其特征在于：所述金属焊盘的材料包括Al或Cu。

4.根据权利要求1所述的铜柱凸点的封装方法，其特征在于：所述金属阻挡层的材料包括镍。

5.根据权利要求1所述的铜柱凸点的封装方法，其特征在于：所述还原氧化石墨烯层的上表面不超过所述绝缘层的上表面。

6.根据权利要求1所述的铜柱凸点的封装方法，其特征在于：步骤4)中，所述焊料金属电镀完成后，还包括将所述光刻胶去除的步骤。

7.根据权利要求1所述的铜柱凸点的封装方法，其特征在于：所述焊料金属包括铅、锡及银中的一种或包含上述任意一种焊料金属的合金。