[发明专利]一种金属修饰多孔硅粉的制备方法和应用在审

专利信息
申请号: 201610029266.8 申请日: 2016-01-18
公开(公告)号: CN105680008A 公开(公告)日: 2016-06-15
发明(设计)人: 岳之浩;周浪;汤昊;黄海宾 申请(专利权)人: 南昌大学
主分类号: H01M4/36 分类号: H01M4/36;H01M4/38;H01M4/62;H01M10/0525;B82Y30/00;B82Y40/00
代理公司: 南昌新天下专利商标代理有限公司 36115 代理人: 施秀瑾
地址: 330031 江西省*** 国省代码: 江西;36
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摘要:
搜索关键词: 一种 金属 修饰 多孔 制备 方法 应用
【权利要求书】:

1.一种金属修饰多孔硅粉的制备方法,其特征是包括如下步骤:

(1)采用5-40wt.%的HF溶液对硅粉原料进行清洗;

(2)采用一步或两步金属辅助化学腐蚀法对清洗后的硅粉原料进行刻蚀以获得多孔硅 结构,辅助金属颗粒不需去除,作为修饰金属保留;

(3)采用去离子水对腐蚀后的多孔硅粉进行清洗并烘干处理;

步骤(2)中所述一步金属辅助化学腐蚀法是指硅粉上沉积金属颗粒和硅粉的刻蚀是在 同一个容器中同时进行的,所用溶液为HF、氧化剂和金属盐的混合溶液,其中金属盐为 AgNO3或Cu(NO3)2,其浓度为0.01-10M,HF浓度为0.1-10M,氧化剂为H2O2或HNO3,其浓度为 0.1-10M,反应温度为0-90℃,反应时间为1-120min;

步骤(2)中所述两步金属辅助化学腐蚀法是指在硅粉上沉积辅助金属颗粒和硅粉的刻 蚀步骤是分别进行的,首先在HF和金属盐的混合溶液采用无电沉积法在硅粉上沉积金属纳 米颗粒,其中金属盐为AgNO3或Cu(NO3)2,其浓度为0.01-10M,HF浓度为0.1-10M,反应时间为 1-60min,然后将沉积有金属颗粒的硅粉置于HF和氧化剂的混合溶液中进行刻蚀,其中氧化 剂为H2O2或HNO3,其浓度为0.1-10M,HF浓度为0.1-40M,反应温度为0-90℃,反应时间为1- 120min。

2.根据权利要求1所述的金属修饰多孔硅粉的制备方法,其特征是步骤(1)中所述硅粉 原料为微米硅粉。

3.权利要求1所述的金属修饰多孔硅粉的制备方法制备的金属修饰多孔硅粉在制备负 极片中的应用,其特征是将上述制备的金属修饰多孔硅粉、石墨、导电炭黑和羧甲基纤维素 钠按质量比为0.5:8.5:0.5:0.5比例混合,通过球磨混合制成浆料,经过涂覆、烘干、压片、 切片、称量制成负极片。

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