[发明专利]金属线栅偏振器及其制作方法、显示装置

权利要求书

1.一种金属线栅偏振器制作方法，其特征在于，包括步骤：

S1：在衬底基板上制作出间距为P，宽度为W的辅助线栅；

S2：利用原子层沉积方式在辅助线栅上覆盖一层厚度大于P/2-W的金属薄膜；

S3：刻蚀辅助线栅顶部和沟槽对应区域的金属薄膜；

S4：去掉辅助线栅，形成间距为P/2，宽度为P/2-W的金属线栅，以形成金属线栅偏振器。

2.如权利要求1所述的金属线栅偏振器制作方法，其特征在于，所述步骤S1包括：

在所述衬底基板上依次形成光刻胶、金属掩膜薄膜及电致抗蚀剂；

利用电子束曝光方式经过曝光显影制作出间距为P，宽度为W的电致抗蚀剂线栅图形；

以电致抗蚀剂线栅图形为掩膜板刻蚀金属掩膜薄膜，制作出间距为P，宽度为W的金属掩膜线栅图形；

以所述金属掩膜线栅图形为掩膜板刻蚀暴露出的光刻胶，制作出间距为P，宽度为W的光刻胶辅助线栅。

3.如权利要求2所述的金属线栅偏振器制作方法，其特征在于，所述金属掩膜薄膜材料为金属Cr，采用反应气体为Cl₂的感应耦合等离子体方式刻蚀Cr薄膜。

4.如权利要求2所述的金属线栅偏振器制作方法，其特征在于，所述步骤S1和S4中，采用反应气体为O₂的感应耦合等离子体方式刻蚀光刻胶。

5.如权利要求1所述的金属线栅偏振器制作方法，其特征在于，所述步骤S1包括：采用纳米压印技术制作出间距为P，宽度为W的光刻胶或聚合物的辅助线栅。

6.如权利要求1所述的金属线栅偏振器制作方法，其特征在于，所述步骤S3包括：以Ar为反应气体，垂直于所述衬底基板方向，采用离子束刻蚀技术将辅助线栅顶部和沟槽对应区域的金属薄膜刻蚀掉，刻蚀过程中实时对刻蚀工艺参数进行调整，使所述金属线栅宽度为P/2-W。

7.如权利要求1所述的金属线栅偏振器制作方法，其特征在于，所述金属薄膜包括：Al、Ag、Cu或Ir薄膜。

8.如权利要求1～7中任一项所述的金属线栅偏振器制作方法，其特征在于，80nm≤P≤100nm，25nm≤W≤35nm。

9.一种金属线栅偏振器，包括形成在衬底基板上的若干金属线栅，其特征在于，所述金属线栅偏振器采用如权利要求1-8任一项所述的方法制得，且相邻两个金属线栅的间距为：40nm～50nm，每个金属线栅的宽度为：5nm～15nm。

10.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求9所述的金属线栅偏振器。