[发明专利]基于MOS管元件的三输入与门电路在审
申请号: | 201610024694.1 | 申请日: | 2016-01-15 |
公开(公告)号: | CN105680850A | 公开(公告)日: | 2016-06-15 |
发明(设计)人: | 方镜清 | 申请(专利权)人: | 中山芯达电子科技有限公司 |
主分类号: | H03K19/20 | 分类号: | H03K19/20 |
代理公司: | 中山市铭洋专利商标事务所(普通合伙) 44286 | 代理人: | 邹常友 |
地址: | 528400 广东省中山市火*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 基于 mos 元件 输入 与门 电路 | ||
技术领域
本发明涉及一种基于MOS管元件的三输入与门电路,其应用于芯片集成电路当中。
背景技术
芯片集成电路当中包含有数量庞大的逻辑门电路,而现有的逻辑门电路普遍存在体积较大、功耗高、响应不够迅速等缺点,这在集成电路,特别是VLSI超大规模集成电路当中往往是致命的,影响着电路的整体体积的微型化、电路功耗与发热。
发明内容
为克服现有多输入与门电路存在的体积较大、功耗高等缺点,本发明提出一种基于MOS管元件的三输入与门电路,其具体技术方案如下:
一种基于MOS管元件的三输入与门电路,具有第一、第二和第三输入端,以及一输出端,包括MOS管Q1、Q2、Q3、Q4、Q5、Q6、Q7和Q8,所述MOS管Q1、Q3、Q5各自的源极连接电源VCC端,自各的漏极共同连接第一结点P1,所述MOS管Q2的源极连接所述MOS管Q1的漏极,其漏极连接到所述MOS管Q4的源极,所述MOS管Q4的漏极连接至所述MOS管Q6的源极,所述MOS管Q6的漏极连接地端,所述MOS管Q1和Q2的栅极共连接电路的第一输入端,所述MOS管Q3和Q4的栅极共连接电路的第二输入端,所述MOS管Q5和Q6的栅极共连接电路的第三输入端;所述MOS管Q7和Q8串联连接于电源端VCC与地端之间,二者的栅极共同连接至所述第一结点P1,二者的串联连接结P2连接电路的输出端。
于本发明的一个或多个实施例当中,所述MOS管Q1、Q3、Q5和Q7为P型MOS管,所述MOS管Q2、Q4、Q6和Q8为N型MOS管。
于本发明的一个或多个实施例当中,所述电源端VCC电压为+5V。
本发明电路具有构成简单、成本低、扩展容易等优点,可有效减少逻辑门电路的体积与电能消耗,这对于大规模集成电路来讲是很重要的,影响着整体电路的性能。本发明从实用性和经济性上看,均是具备卓越性能的产品,十分适合推广使用。
附图说明
图1为本发明的基于MOS管元件的三输入与门电路的原理图。
具体实施方式
如下结合附图1,对本申请方案作进一步描述:
一种基于MOS管元件的三输入与门电路,具有第一、第二和第三输入端,以及一输出端,包括MOS管Q1、Q2、Q3、Q4、Q5、Q6、Q7和Q8,所述MOS管Q1、Q3、Q5各自的源极连接电源VCC端,自各的漏极共同连接第一结点P1,所述MOS管Q2的源极连接所述MOS管Q1的漏极,其漏极连接到所述MOS管Q4的源极,所述MOS管Q4的漏极连接至所述MOS管Q6的源极,所述MOS管Q6的漏极连接地端,所述MOS管Q1和Q2的栅极共连接电路的第一输入端,所述MOS管Q3和Q4的栅极共连接电路的第二输入端,所述MOS管Q5和Q6的栅极共连接电路的第三输入端;所述MOS管Q7和Q8串联连接于电源端VCC与地端之间,二者的栅极共同连接至所述第一结点P1,二者的串联连接结P2连接电路的输出端。
所述MOS管Q1、Q3、Q5和Q7为P型MOS管,所述MOS管Q2、Q4、Q6和Q8为N型MOS管。
所述电源端VCC电压为+5V。
上述优选实施方式应视为本申请方案实施方式的举例说明,凡与本申请方案雷同、近似或以此为基础作出的技术推演、替换、改进等,均应视为本专利的保护范围。
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