[发明专利]用于制造排列成大面积单域的有机分子的柱状或层状结构的方法

权利要求书

1.用于制造排列成大面积单域的有机分子柱状或层状结构的方法，所述方法包括以下步骤：

(a)将有机分子在空间上限制于平面下基板与平面上基板之间；和

(b)将所述在空间上限制于下基板与上基板之间的有机分子在至少所述有机分子的各向同性转变温度的温度加热，然后冷却所述有机分子，从而通过所述有机分子的自组装将所述有机分子垂直排列在所述下基板与所述上基板之间，且有机分子的六方柱状阵列为完全堆积的，

其中所述大面积单域的尺寸为0.1mm×0.1mm至1m×1m，且

所述有机分子为具有自组装性质的树状超分子。

2.权利要求1所述 的方法，其中所述步骤(a)为下列步骤(i)至(iii)之一：

(i)在所述下基板上形成所述有机分子的薄膜，然后将所述有机分子的薄膜用所述上基板覆盖，从而将所述有机分子在空间上限制于所述下基板与所述上基板之间；

(ii)在所述下基板与所述上基板之间通过毛细现象以所述下基板与所述上基板彼此间隔开的状态形成所述有机分子的薄膜，从而将所述有机分子在空间上限制于所述下基板与所述上基板之间；或

(iii)在所述下基板上形成所述有机分子的薄膜，然后在所述薄膜上通过聚合物溶液旋涂、碳溅射或诱导化学气相沉积(iCVD)形成所述上基板，从而将所述有机分子在空间上限制于所述下基板与所述上基板之间。

3.权利要求1所述 的方法，其中所述有机分子选自下式1至10：

[式1]

[式2]

[式3]

[式4]

[式5]

[式6]

[式7]

[式8]

[式9]

[式10]

4.权利要求1所述 的方法，其进一步包括步骤(c)：移除所述上基板，从而得到相对于所述下基板垂直排列的有机分子。

5.权利要求1所述 的方法，其中所述下基板为硅片、玻璃基板、ITO基板、聚合物膜基板或涂布有聚合物或碳的基板。

6.权利要求1所述 的方法，其中所述下基板与所述上基板之间的间距为1nm至100μm。

7.制造光刻模板的方法，所述方法使用由权利要求1的方法制造的排列成大面积单域的有机分子的柱状或层状结构。

8.由权利要求7的方法制造的排列在大面积单域中的光刻模板。

9.制造电子装置的方法，其使用权利要求8的光刻模板。

10.权利要求9所述 的方法，其中所述电子装置为显示装置和太阳能电池装置中的任一种。

11.权利要求9所述 的方法，其包括下列步骤：

(i)(1)将所述光刻模板用紫外光照射，以选择性除去一部分有机分子，从而形成图案，然后通过反应离子刻蚀将所述图案转印到硅片上，从而形成纳米结构；或

(2)将金属前体或无机前体选择性结合到一部分有机分子上，将所述有机分子进行氧化、还原或有机分子除去过程，从而形成金属纳米结构或无机纳米结构；和

(ii)使用所述纳米结构形成电子装置。

12.包含大面积排列的纳米结构的电子装置，其由权利要求9的方法制造。

13.权利要求12所述 的电子装置，其中所述电子装置为显示装置和太阳能电池装置中的任一种。

14.用于制造透明电极的方法，其使用权利要求1的方法制造的排列成大面积单域的有机分子的柱状或层状结构。