[发明专利]脆化装置,拾取系统和拾取芯片的方法在审
申请号: | 201610022826.7 | 申请日: | 2016-01-14 |
公开(公告)号: | CN105789127A | 公开(公告)日: | 2016-07-20 |
发明(设计)人: | 吴祖华;M.海因里奇;J.希尔施勒;I.米勒;M.勒斯纳 | 申请(专利权)人: | 英飞凌科技奥地利有限公司 |
主分类号: | H01L21/78 | 分类号: | H01L21/78;H01L21/683 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 申屠伟进;杜荔南 |
地址: | 奥地利*** | 国省代码: | 奥地利;AT |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 化装 拾取 系统 芯片 方法 | ||
1.一种从载体系统拾取芯片的方法,所述方法包括:
提供包括多个芯片的载体系统,所述多个芯片包括边缘部分和通过粘合层附着到载体 系统的一个表面;
在多个芯片的边缘部分处选择性地脆化粘合层;以及
拾取所述多个芯片中的至少一个芯片。
2.根据权利要求1所述的方法,其中所述脆化是通过紫外光执行的。
3.根据权利要求2所述的方法,其中所述紫外光具有被配置成穿过载体系统的波长。
4.根据权利要求1所述的方法,其中所述脆化是通过施加冷能执行的。
5.根据权利要求4所述的方法,其中所述冷能通过将冷却流体选择性地引导到边缘部 分被施加。
6.根据权利要求1所述的方法,其中所述载体系统是箔,并且其中所述方法还包括在拾 取至少一个芯片期间矫直所述箔。
7.根据权利要求1所述的方法,其中所述载体系统是箔,并且其中所述方法还包括从所 述箔的第二表面对所述箔施加附加的力,其中所述第二表面与所述一个表面相反。
8.根据权利要求7所述的方法,其中所述力是通过压缩气体的脉冲施加的。
9.用于从载体系统拾取芯片的拾取系统的脆化装置,其中,所述脆化装置被配置成在 通过粘合层附着到载体系统的芯片的边缘部分处选择性地脆化粘合层。
10.根据权利要求9所述的脆化装置,其中所述脆化装置包括被配置成选择性地脆化粘 合层的冷却源。
11.根据权利要求9所述的脆化装置,其中所述脆化装置包括被配置成选择性地脆化粘 合层的紫外光源。
12.根据权利要求9所述的脆化装置,其中所述脆化装置还包括被配置成选择性地暴露 边缘部分的掩模。
13.根据权利要求11所述的脆化装置,其中所述紫外光源还包括被配置成引导紫外光 源的光的光导系统。
14.根据权利要求13所述的脆化装置,还包括至少一个透镜,所述至少一个透镜是光导 系统的部分。
15.一种用于从载体系统拾取芯片的拾取系统,所述拾取系统包括:
框架,被配置成容纳具有附着在其上的多个芯片的载体系统;和
根据权利要求9的脆化装置。
16.根据权利要求15所述的拾取系统,还包括被配置成拾取芯片的拾取夹头。
17.根据权利要求15所述的拾取系统,还包括被配置成在载体系统的背面上引导气体 脉冲的气体引导系统。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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