[发明专利]半导体器件的制造方法及衬底处理装置

权利要求书

1.一种半导体器件的制造方法，其具有下述工序：

对在表面形成有含氧膜的衬底供给第一原料和第一氮化剂、在所述含氧膜上形成初始膜的工序，其中，所述初始膜为包含氧的氮化膜；

对所述初始膜进行等离子体氮化，由此将所述初始膜改质为第一氮化膜的工序，所述第一氮化膜为不含氧的膜；和

对所述衬底供给第二原料和第二氮化剂，在所述第一氮化膜上形成第二氮化膜的工序。

2.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中，所述第二氮化膜形成为厚度为所述第一氮化膜的厚度以上。

3.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中，所述第二氮化膜形成为比所述第一氮化膜厚。

4.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中，在形成所述初始膜的工序中，将非同时地进行对所述衬底供给所述第一原料的工序和对所述衬底供给所述第一氮化剂的工序作为第1循环，进行第1规定次数的所述第1循环。

5.如权利要求4所述的半导体器件的制造方法，其中，在形成所述第二氮化膜的工序中，将非同时地进行对所述衬底供给所述第二原料的工序和对所述衬底供给所述第二氮化剂的工序作为第2循环，进行第2规定次数的所述第2循环。

6.如权利要求5所述的半导体器件的制造方法，其中，使所述第2规定次数比所述第1规定次数多。

7.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中，使所述初始膜的厚度为0.8nm以上且1.5nm以下。

8.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中，使所述初始膜的厚度为1.0nm以上且1.2nm以下。

9.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中，还具有对所述第二氮化膜的表面进行等离子体氮化的工序。

10.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中，还具有在形成所述初始膜之前、对所述含氧膜的表面进行等离子体氮化的工序。

11.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中，在进行所述等离子体氮化时，对所述衬底供给等离子体激发后的所述第一氮化剂或所述第二氮化剂。

12.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中，所述第一原料和所述第二原料具有相同的分子结构。

13.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中，所述第一氮化剂和所述第二氮化剂具有相同的分子结构。

14.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中，在同一处理室内进行将所述初始膜改质为第一氮化膜的工序、和在所述第一氮化膜上形成第二氮化膜的工序。

15.如权利要求10所述的半导体器件的制造方法，其中，在同一处理室内进行对所述含氧膜的表面进行等离子体氮化的工序、和形成所述初始膜的工序。

16.一种衬底处理装置，其具有：

处理室，收纳衬底；

原料供给系统，对所述处理室内的衬底供给第一原料、第二原料；

氮化剂供给系统，对所述处理室内的衬底供给第一氮化剂、第二氮化剂；

等离子体激发部，使所述第一氮化剂或所述第二氮化剂进行等离子体激发；和

控制部，其被构成为以进行下述处理的方式控制所述原料供给系统、所述氮化剂供给系统及所述等离子体激发部，所述处理为：

以在所述处理室内收纳在表面形成有含氧膜的衬底的状态，对所述衬底供给所述第一原料和所述第一氮化剂，在所述含氧膜上形成初始膜的处理，其中，所述初始膜为包含氧的氮化膜；

对所述衬底供给等离子体激发后的所述第一氮化剂或所述第二氮化剂，对所述初始膜进行等离子体氮化，由此将所述初始膜改质为第一氮化膜的处理，所述第一氮化膜为不含氧的膜；和

对所述衬底供给所述第二原料和所述第二氮化剂，在所述第一氮化膜上形成第二氮化膜的处理。