[发明专利]OLED器件的封装方法、OLED封装器件及显示装置

权利要求书

1.一种OLED器件的封装方法，其特征在于，所述方法包括：

在待封装OLED器件上形成第一层无机薄膜；

在所述第一层无机薄膜的表面形成凹槽，所述凹槽的边缘与所述第一层无机薄膜的边缘存在距离；

在所述凹槽内形成第二层有机薄膜；

以覆盖所述第一层无机薄膜和所述第二层有机薄膜的方式形成第三层无机薄膜，所述第三层无机薄膜与所述第一层无机薄膜的位于所述第一层无机薄膜的边缘和所述凹槽的边缘之间的部分接触。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述第一层无机薄膜的表面形成凹槽，包括：

采用干刻蚀工艺刻蚀所述第一层无机薄膜的表面，形成所述凹槽。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述在待封装OLED器件上形成第一层无机薄膜，包括：

采用化学气相沉积或者原子层沉积工艺形成所述第一层无机薄膜。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述干刻蚀工艺采用的掩膜板上图案的形状与所述化学气相沉积或者原子层沉积工艺采用的掩膜板上图案的形状相同，所述干刻蚀工艺采用的掩膜板上图案和所述化学气相沉积或者原子层沉积工艺采用的掩膜板上图案均为矩形，且所述干刻蚀工艺采用的掩膜板上图案的边的长度比所述化学气相沉积或者原子层沉积工艺采用的掩膜板上图案对应边的长度小0.01～0.5mm。

5.根据权利要求1至4任一项所述的方法，其特征在于，所述凹槽的深度为0.1-0.8μm。

6.根据权利要求1至4任一项所述的方法，其特征在于，所述凹槽的形状与所述第一层无机薄膜的形状相同。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述凹槽的边缘与所述第一层无机薄膜的边缘的距离为5-250μm。

8.根据权利要求1至4任一项所述的方法，其特征在于，所述待封装OLED器件包括基板以及设置在所述基板上的OLED发光结构，所述第一层无机薄膜覆盖所述OLED发光结构并与所述基板粘接。

9.一种OLED封装器件，其特征在于，所述OLED封装器件包括：

设于OLED器件上的第一层无机薄膜，所述第一层无机薄膜的表面设有凹槽，所述凹槽的边缘与所述第一层无机薄膜的边缘存在距离，设于所述凹槽内的第二层有机薄膜，以及覆盖所述第一层无机薄膜和所述第二层有机薄膜的第三层无机薄膜，所述第三层无机薄膜与所述第一层无机薄膜的位于所述第一层无机薄膜的边缘和所述凹槽的边缘之间的部分接触。

10.根据权利要求9所述的OLED封装器件，其特征在于，所述凹槽的深度为0.1-0.8μm。

11.根据权利要求9所述的OLED封装器件，其特征在于，所述凹槽的形状与所述第一层无机薄膜的形状相同。

12.根据权利要求11所述的OLED封装器件，其特征在于，所述凹槽的边缘与所述第一层无机薄膜的边缘的距离为5-250μm。

13.一种显示装置，其特征在于，所述显示装置包括权9至12任一项所述的OLED封装器件。