[发明专利]一种基于砷化铟衬底的II类超晶格结构及制备方法

权利要求书

1.一种基于砷化铟衬底的II类超晶格结构，其结构自下而上依次为 GaAs_xSb_1-x层(1)和InAs层(2)，其特征在于：

所述的GaAs_xSb_1-x层(1)的厚度为2.1nm-3.6nm，组分x为0.0-0.5；

所述的InAs层(2)的厚度为2.1nm-10.5nm。

2.一种制备如权利要求1所述的一种基于砷化铟衬底的II类超晶格结构 的方法，其特征在于包括以下步骤：

1)将In炉和Ga炉调至所需生长温度；

2)将InAs衬底装入分子束外延真空系统；

3)将InAs衬底温度升至InAs/GaAsSbII类超晶格生长温度；

4)将As阀和Sb阀开至II类超晶格生长所用阀位；

5)采用分子束外延方法在InAs衬底上依次外延GaAs_xSb_1-x层(1)和InAs 层(2)。