[发明专利]脉冲激光照射单层二硫化钼实现光学改性的方法及装置

权利要求书

1.一种脉冲激光照射单层二硫化钼实现光学改性的装置，其特征在于：包括一台405nm近紫外连续激光器（1）和一台820nm飞秒脉冲激光器（2），405nm近紫外连续激光器（1）和820nm飞秒脉冲激光器（2）所分别发出的光束经过一个激光合束器（5）后完全重合；其中，通过使用第一快速光开关（3）和第二快速光开关（4）分别实现对405nm连续激光器（1）和820nm飞秒激光器（2）的选择和切换；

激光合束器（5）出射的激光束经过一个二向色镜（6）到达一个反射扫描镜（7）；激光束经过反射扫描镜（7）进入一个显微镜物镜（8），显微镜物镜（8）将激光聚焦到单层二硫化钼表面，实现820nm飞秒激光对二硫化钼的照射和405nm连续激光对二硫化钼的激发；所述单层二硫化钼位于三维调节台（10）上，所述三维调节台（10）实现对单层二硫化钼的垂直面聚焦和水平面移动；

405nm连续激光激发单层二硫化钼后产生的荧光顺次经过显微镜物镜（8）、反射扫描镜（7）、二向色镜（6）后，再依次通过一个发射滤光片（11）和一个针孔（12）后被一台光电二极管探测（13），所述光电二极管（13）的信号输出端连接装有数据采集程序的电脑，实现对单层二硫化钼荧光的实时监控。

2.一种脉冲激光照射单层二硫化钼实现光学改性的方法，其特征在于：包括以下步骤：

（1）、使用波长为405nm的连续激光器所发出的激光激发单层二硫化钼，获得飞秒激光照射前单层二硫化钼的荧光强度及荧光光谱；

（2）、关闭波长为405nm的连续激光器的激光光路，使用波长为820nm的飞秒激光器产生脉冲激光，脉冲激光经显微镜物镜聚焦后照射位于生长有单层二硫化钼的Si/SiO₂基片表面的单层二硫化钼，照射时间为30毫秒；

（3）、关闭波长为820nm的飞秒激光器的激光光路，再次使用波长为405nm的连续激光器所发出的激光激发单层二硫化钼，获得飞秒激光照射30毫秒后单层二硫化钼的荧光强度及荧光光谱；

（4）、关闭波长为405nm的连续激光器的激光光路，再次使用820nm的飞秒脉冲激光照射单层二硫化钼，照射时间从30毫秒连续变化到1000毫秒，通过改变照射时间的长短实现对单层二硫化钼荧光强度和荧光光谱的连续调节；

（5）、最终即可通过飞秒激光不同的照射时间实现对单层二硫化钼快速可控的光学改性。