[发明专利]Co3O4@NiO核壳纳米线阵列电极材料的制备在审
| 申请号: | 201610019229.9 | 申请日: | 2016-01-13 |
| 公开(公告)号: | CN105679549A | 公开(公告)日: | 2016-06-15 |
| 发明(设计)人: | 韩丹丹;其他发明人请求不公开姓名 | 申请(专利权)人: | 吉林化工学院 |
| 主分类号: | H01G11/24 | 分类号: | H01G11/24;H01G11/28;H01G11/46;H01G11/86 |
| 代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
| 地址: | 132022 吉*** | 国省代码: | 吉林;22 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | co sub nio 纳米 阵列 电极 材料 制备 | ||
技术领域
本发明属于超级电容器器件技术领域,具体涉及Co3O4NiO核壳纳米线阵列超级电容器电极材料的研究。
背景技术
随着世界能源危机的到来,生产和制造性能卓越的供电设备(例如超级电容器、锂离子电池等)变得越来越重要。过渡金属氧化物因其多样的价电子结构,丰富的物理和化学性质,以及在光电、催化、磁性以及超级电容器等领域的应用成为当今研究的热点。
电极材料的电化学活性直接决定器件的电容性能,因此,活性电极材料的开发便成为ECs研究和应用的重点。通常,用于ECs的电极材料包括炭材料、金属氧化物和导电聚合物三大类。炭材料电极通过电解液与电极的界面处形成的双电层存储能量(双电层电容);金属氧化物及导电聚合物材料电极则通过快速可逆的氧化还原反应获得法拉第电容(赝电容),此法拉第电容一般远大于炭材料获得的双电层电容。作为ECs电极材料使用的贵金属氧化物(如RuO2)具有非常优良的电化学电容性质,但昂贵的价格和剧毒性大大制约其作为电化学电容器电极材料的应用和商品化,研究者尝试通过不同方法制备氧化钴(Co3O4)、氧化镍(NiO)、氧化锡(SnO2)和氧化锰(MnOx)等贱金属氧化物,作为贵金属氧化物的替代品,电极的比容量、充放电效率和长循环寿命显著提高。
最近报道的关于单一组分的金属氧化物电极材料比容量有所增加,但单一金属氧化物材料的自身缺陷如低电导率,晶型结构有限,比容量较低等缺陷仍是限制高性能电极材料进一步应用的关键。因此,将两种或两种以上材料以不同的形式有机复合,设计合成形貌新颖、结构稳定、高比容量的异质结构金属复合氧化物,利用其产生的协同效应,弥补自身缺陷,这对实现高效率的能量存储元器件的构筑具有十分重要的意义。H.J.Fan等人在各种1D金属氧化物(TiO2、NiO和Co3O4)表面控制合成导电聚合物聚苯胺,两种无机/有机材料以疏水溶剂作用和静电作用相结合,增强了1D纳米材料的机械稳定性,缓解了在充放电过程中因电极体积膨胀所引起的材料结构破坏,提高了电极的循环寿命。由此可见,将单一1D金属氧化物电极材料复合化,实现结构稳定、大比表面积、多孔结构和高反应活性点电极材料的构筑是全面提高电极电化学性能的关键。异质复合过渡金属氧化物的纳米阵列结构能够满足电极对结构稳定性和各组分互相修饰的需要。
近年来,各种方法用于控制合成具有良好形貌和功能可调的核壳结构纳米线阵列,主要包括化学沉淀、氧化,基于牺牲模板的化学湿法以及一些物理技术如溅射和脉冲激光沉积等,在这些处理中,结构复杂、形貌规整、结晶良好、电化学性能优良的异质结构复合材料已有报道。但是,以简便、节能、高效的合成方法,精准控制合成过渡金属氧化物或氢氧化物核壳纳米阵列仍需进一步探索。采用在导电基底表面原位生长金属氧化物电极材料,可有效提高活性物质利用率高、增大活性表面、提高材料的扩散传质性能。因此,我们尝试采用两步溶液法,选择合适的反应条件,在导电基底上控制合成形貌规整的异质结构核壳金属氧化物纳米线阵列,有望综合提高金属氧化物复合电极材料的电化学性能。
因此,本研究采用在导电基底表面原位生长金属氧化物电极材料,可有效提高活性物质利用率高、增大活性表面、提高材料的扩散传质性能。并尝试通过电沉积法在四氧化三钴表面沉积氧化镍前驱体,并经煅烧得到Co3O4NiO核壳纳米线阵列。
发明内容
本发明将导电集流体镍网上原位生长四氧化三钴纳米线作为骨架,电沉积得到Co3O4NiO核壳纳米线阵列,提供一种制备方法简单且具有较高比容量和较好稳定性的赝电容复合氧化物电极材料。
为解决上述技术问题,本发明采取如下技术方案:
一种Co3O4NiO核壳纳米线阵列的超级电容器电极材料,所述的超级电容器的电极体系包括导电集流体,电解液和导电基底为3D镍网。
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