[发明专利]鼠标垫及其制造方法有效
| 申请号: | 201610019173.7 | 申请日: | 2016-01-12 |
| 公开(公告)号: | CN105700718B | 公开(公告)日: | 2019-02-22 |
| 发明(设计)人: | 林长庚 | 申请(专利权)人: | 东莞市长庚硅胶制品有限公司 |
| 主分类号: | G06F3/039 | 分类号: | G06F3/039 |
| 代理公司: | 东莞市神州众达专利商标事务所(普通合伙) 44251 | 代理人: | 刘汉民 |
| 地址: | 523000 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 鼠标垫 及其 制造 方法 | ||
1.一种鼠标垫,其特征在于:包括:基布层,所述的基布层具有正面与背面;
聚氯乙烯层,所述的聚氯乙烯层涂覆于所述的基布层背面;
弹性胶体层,所述的弹性胶体层设置于所述的聚氯乙烯层下方;
其中,所述的聚氯乙烯层包括如下重量份数的原料:聚氯乙烯90~100重量份、邻苯二甲酸二异壬酯的可塑剂60~70重量份、碳酸钙10~20重量份、二氧化钛15~20重量份、氢氧化铝20~30重量份、羟基硅油5~15重量份、铂金架桥A剂6~12重量份、铂金架桥B剂20~30重量份、正硅酸乙酯8重量份、钛酸酯-硅烷偶连剂8重量份;
其中,所述的基布层为热塑性纤维织物;
其中,所述的鼠标垫的制作方法,包括如下步骤:
步骤(一)选择聚酰胺作为基布材料,在聚酰胺热塑性纤维织物背面滚涂涂覆上软胶型聚氯乙烯(Polyvinyl chloride),涂覆厚度100nm~10um形成第一基片,使聚氯乙烯渗透入聚酰胺热塑性织布纤维内并产生分子链缠绕;
步骤(二)在形成第一基片的聚氯乙烯上依次涂覆邻苯二甲酸二异壬酯的可塑剂、碳酸钙、二氧化钛、氢氧化铝、羟基硅油、铂金架桥剂A剂、铂金架桥剂B剂、正硅酸乙酯、钛酸酯-硅烷偶连剂形成第二基片,所述的邻苯二甲酸二异壬酯的可塑剂、碳酸钙、二氧化钛、氢氧化铝、羟基硅油、铂金架桥剂A剂、铂金架桥剂B剂、正硅酸乙酯、钛酸酯-硅烷偶连的厚度均为1um~10um;
步骤(三)将第二基片放入硅胶模具中,并使第二基片的涂覆钛酸酯-硅烷偶连剂一端朝向硅胶材料,通过热压成型方式将第二基片与硅胶模具中的硅胶材料熔接成一体,硅胶反应温度为100~220度之间,在高温下硅胶将会与钛酸酯-硅烷产生化学反应,形成硅氧硅(Si-O-Si)之共价键结。
2.根据权利要求1所述的一种鼠标垫,其特征在于:所述的热塑性纤维织物为聚丙烯(PP)或聚乙烯(PE)或聚酰胺(polyamide)。
3.根据权利要求1所述的一种鼠标垫,其特征在于:所述的弹性胶体层为橡胶或泡棉或硅胶。
4.根据权利要求1所述的一种鼠标垫,其特征在于:步骤三中所述的热压成型的压力为19000~21000N,温度为190~210度,时间为120~180s。
5.根据权利要求1所述的一种鼠标垫,其特征在于:步骤三所述的热压成型的压力为20000N,温度为200度,时间为150s。
6.根据权利要求1所述的一种鼠标垫,其特征在于:步骤一至步骤三中的涂覆方法可用滚涂或喷涂或手擦涂。
7.一种鼠标垫,其特征在于:包括:
基布层,具有正面与背面;
聚氯乙烯层,设置于所述的基布层背面;
弹性胶体层,设置于所述的聚氯乙烯层的下方;
发热层,所述发热层由发热体和绝缘外皮构成,绝缘外皮包裹发热体,所述发热层位于聚氯乙烯层和弹性胶体层之间,发热层边缘设有温度调节开关,发热层与温度调节开关连接,所述温度调节开关连接有供电USB接口,
其中,所述的聚氯乙烯层包括如下重量份数的原料:聚氯乙烯90~100重量份、邻苯二甲酸二异壬酯的可塑剂60~70重量份、碳酸钙10~20重量份、二氧化钛15~20重量份、氢氧化铝20~30重量份、羟基硅油5~15重量份、铂金架桥A剂6~12重量份、铂金架桥B剂20~30重量份、正硅酸乙酯8重量份、钛酸酯-硅烷偶连剂8重量份;
其中,所述的基布层为热塑性纤维织物。
8.一种根据权利要求1所述的鼠标垫的制作方法,包括如下步骤:
步骤(一)选择聚酰胺作为基布材料,在聚酰胺热塑性纤维织物背面滚涂涂覆上软胶型聚氯乙烯(Polyvinyl chloride)形成第一基片,使聚氯乙烯渗透入聚酰胺热塑性织布纤维内,产生分子链缠绕,涂覆厚度100nm~10um;
步骤(二)在形成第一基片的聚氯乙烯上依次涂覆邻苯二甲酸二异壬酯的可塑剂、碳酸钙、二氧化钛、氢氧化铝、羟基硅油、铂金架桥剂A剂、铂金架桥剂B剂、正硅酸乙酯、钛酸酯-硅烷偶连剂形成第二基片,所述的邻苯二甲酸二异壬酯的可塑剂、碳酸钙、二氧化钛、氢氧化铝、羟基硅油、铂金架桥剂A剂、铂金架桥剂B剂、正硅酸乙酯、钛酸酯-硅烷偶连剂涂覆厚度均为1um~10um;
步骤(三)将发热体的一端焊接温度调节开关,再将温度调节开关连接有供电USB接口,再将发热体包覆绝缘外皮形成发热层;
步骤(四)将第二基片放入下模具中,将发热层放在第二基片涂覆了钛酸酯-硅烷偶连剂上方,将放有硅胶材料的上模具压合在下模具上,通过热压成型方式将第二基片与硅胶模具中的硅胶材料熔接成一体,硅胶反应温度为100~220度之间,在高温下硅胶将会与钛酸酯-硅烷产生化学反应,形成硅氧硅(Si-O-Si)之共价键结。
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