[发明专利]具有内置导体环的电阻层析成像传感器在审
申请号: | 201610019096.5 | 申请日: | 2016-01-13 |
公开(公告)号: | CN105675658A | 公开(公告)日: | 2016-06-15 |
发明(设计)人: | 岳士弘;王亚茹 | 申请(专利权)人: | 天津大学 |
主分类号: | G01N27/04 | 分类号: | G01N27/04;G01N27/06;G01V3/00 |
代理公司: | 天津市北洋有限责任专利代理事务所 12201 | 代理人: | 程毓英 |
地址: | 300072*** | 国省代码: | 天津;12 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 内置 导体 电阻 层析 成像 传感器 | ||
技术领域本发明涉及一种过程成像装置,特别是一种具有内置导体环的电阻层析成像 传感器。
背景技术电学层析成像(ElectricalTomography,简称ET)技术,是近年来迅速发展起 来的一种检测技术,是国内国际竞相研发的热点技术之一,其具有结构简单、成本低廉、实 时性高、无核辐射等优点,在工业生产和医学监护等领域中得到了广泛的研究和应用。电阻 层析成像(ElectricalResistanceTomography,简称ERT)技术就是应用十分广泛的电学层析成 像技术之一,它适用于被测场域内为连续相导体的检测,在地质勘探、工业过程与环境监测 等方面有着广泛的应用。传统的ERT传感器通常将阵列电极(多为8,12,16个)环绕固定 在被测场域边界,通过在特定电极上施加电流激励信号,测量其他电极上的电压信号,获取 一系列的电压测量值,然后经计算机对数据进行处理,根据电压测量值与被测场域内介质分 布之间的关系,运用一定的算法进行图像的重建,得到被测场域内介质分布图像。然而ERT 技术采用的是电学传感器,即软场传感器,在被测场域内形成的电场是不均匀的,它的敏感 场分布对于场域内被测对象的特性分布变化十分敏感,这就使得ERT技术的敏感场易变而且 分布不均匀。主要表现在:越靠近被测场域中心,敏感度越小,并在被测场域中心部位达到 最小值。因此ERT成像的空间分辨率相对较低。另外,由于软场效应,使得图像重建时求解 逆问题存在严重的病态性,从而影响求解算法的快速性及准确性。
为了解决上述问题,研究人员提出一些解决方法:
国内外的诸多学者致力于成像算法的研究,旨在更准确的重现被测场域内的介质分布, 改善成像系统的空间分布率,虽然算法的不断改进对提高成像系统的空间分辨率起到了一定 的作用,但由于依然采用的是传统传感器,并未从根源上改变软场效应,其效果是有限的。 还有学者提出增加电极数目,使场域内的等位区细化,采用多层传感器,以及优化传感器几 何尺寸等方式,旨在获取被测场域在边界上的更多投影,这些方法得到了一定的效果,但会 带来机械加工精度方面的问题,以及理论上的局限性,当电极数目增加到一定数量后,图像 的质量很难进一步提高。也有学者提出增设被测场域内部电极的方法,例如申请号为 CN201110319799.7的“用于绝缘管道内流体过程参数检测的内外复合式阵列传感器”,以改善 灵敏场的不均匀性,进而提高被测场域内的空间分辨率,得到了很好的效果,但内部电极在 被测场域内的分布位置集中且固定,一般分布在被测场域的中心部位。这种位置上限制,不 能很好的改善被测场域内各个区域的空间分辨率,而且会对被测场域形成很大的干扰,影响 场域内物质的分布。
发明内容
本发明的目的是针对上述现有技术的不足,提出了一种可以提高被测场域内电场的均匀 性的电阻层析成像传感器。本发明利用内置的具有较强导电性的导体环,使等势线更加平直, 提高灵敏场的均匀性,大大改善场域内中心区域的空间分辨率,同时减弱图像重建时求解逆 问题的病态性,进一步提高重建图像的分辨率。本发明的技术方案如下:
一种具有内置导体环的电阻层析成像传感器,被测场域为管道内部,所述的电阻层析成 像传感器包括均匀排布在管道内壁的外部电极阵列,管道为绝缘管道,外部电极阵列固定附 着在内部导体环上,并与内部导体环处在同一横截面,内部导体环的导电性强于管道内部的 介质,同时弱于外部电极。
本发明的有益效果是:与传统的基于电学敏感场的ERT传感器相比,本发明通过在绝缘 管道内壁即被测场域边缘嵌入一强导电性的导体环,使被测场域内电场更加均匀,从而从根 源上改善灵敏场分布的不均匀性,提高场域内部尤其是中心区域的灵敏度,同时改善逆问题 求解时的病态性,提高成像系统的空间分辨率。
附图说明
图1为本发明的具有内置导体环的ERT传感器俯视图;
图2为本发明的传感器纵向剖面视图;
图3为图2的A-A向剖面视图;
图4为图2的B区域的局部放大图;
图5为导体环结构示意图;
图6采用传统ERT传感器(没有导体环)被测场域内等势线仿真图;
图7本发明的传感器被测场域内等势线仿真图;
图中标号说明:
1、绝缘管道
2、外部电极
3、导体环
4、外部电极密封圈
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于天津大学,未经天津大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201610019096.5/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。