[发明专利]用于碳化硅晶体高速生长的原料及碳化硅晶体的生长方法

权利要求书

1.一种用于碳化硅晶体高速生长的原料，其特征在于，该原料含有碳化硅粒子，且所述碳化硅粒子的平均粒径小于5μm。

2.根据权利要求1所述用于碳化硅晶体高速生长的原料，其特征在于，所述碳化硅粒子的比表面积大于等于0.5m²/g。

3.根据权利要求1所述用于碳化硅晶体高速生长的原料，其特征在于，所述碳化硅粒子中的一部分或者全部为带有机械性和/或物理性损伤的碳化硅粒子。

4.根据权利要求1或2或3所述用于碳化硅晶体高速生长的原料，其特征在于，所述原料中还混有在2400℃以下的高温条件下不气化或不熔解的固体物质使形成混合原料；所述在2400℃以下的高温条件下不气化或不熔解的固体物质在所述碳化硅粒子的升华过程中不会被升华。

5.根据权利要求4所述用于碳化硅晶体高速生长的原料，其特征在于，所述在2400℃以下的高温条件下不气化或不熔解的固体物质选自钨、钼、碳、钽、碳化钽、氧化锆和氧化镁中的一种或几种。

6.根据权利要求4所述用于碳化硅晶体高速生长的原料，其特征在于，所述在2400℃以下的高温条件下不气化或不熔解的固体物质占原料总质量的1.0wt％～40wt％。

7.根据权利要求4所述用于碳化硅晶体高速生长的原料，其特征在于，所述固体物质的平均粒径大于原料中碳化硅粒子的最小平均粒径。

8.根据权利要求6所述用于碳化硅晶体高速生长的原料，其特征在于，所述固体物质的平均粒径大于原料中碳化硅粒子的最小平均粒径。

9.一种用于碳化硅晶体高速生长的原料，其特征在于，该原料为采用至少两种不同形状和/或至少两种不同粒径的碳化硅粒子混合而形成的混合原料，且所述原料中至少含有一种平均粒径小于5μm的碳化硅粒子。

10.根据权利要求9所述用于碳化硅晶体高速生长的原料，其特征在于，所述碳化硅粒子中至少含有一种比表面积大于等于0.5m²/g的碳化硅粒子。

11.根据权利要求9或10所述用于碳化硅晶体高速生长的原料，其特征在于，所述混合原料的形状分布不同。

12.根据权利要求9或10所述用于碳化硅晶体高速生长的原料，其特征在于，所述不同粒径的碳化硅粒子为粒径大小分布不同的碳化硅粒子，且所述混合原料的粒径分布曲线中显示至少2个主粒径分布峰值。

13.根据权利要求9或10所述用于碳化硅晶体高速生长的原料，其特征在于，所述碳化硅粒子中的一部分或者全部为采用带有机械性和/或物理性损伤的碳化硅粒子。

14.根据权利要求12所述用于碳化硅晶体高速生长的原料，其特征在于，所述碳化硅粒子中的一部分或者全部为带有机械性和/或物理性损伤的碳化硅粒子。

15.根据权利要求9所述用于碳化硅晶体高速生长的原料，其特征在于，所述混合原料中还混有在2400℃以下的高温条件下不气化或不熔解的固体物质；所述在2400℃以下的高温条件下不气化或不熔解的固体物质在所述碳化硅粒子的升华过程中不会被升华。

16.根据权利要求15所述用于碳化硅晶体高速生长的原料，其特征在于，所述在2400℃以下的高温条件下不气化或不熔解的固体物质选自钨、钼、碳、钽、碳化钽、氧化锆和氧化镁中的一种或几种。

17.根据权利要求15所述用于碳化硅晶体高速生长的原料，其特征在于，所述在2400℃以下的高温条件下不气化或不熔解的固体物质占混合原料总质量的1.0wt％～40wt％。

18.根据权利要求15或17所述用于碳化硅晶体高速生长的原料，其特征在于，所述在2400℃以下的高温条件下不气化或不熔解的固体物质，且所述固体物质的平均粒径大于混合原料中碳化硅粒子的最小平均粒径。

19.一种碳化硅晶体高速生长的方法，其特征在于，该方法包括将权利要求1-18任意一项所述原料放入坩埚内，加热坩埚使坩埚内的原料升华后再结晶，得到碳化硅晶体。

20.根据权利要求19所述碳化硅晶体高速生长的方法，其特征在于，还包括从坩埚的底部供入气体或液体或两者的混合物，使坩埚内的原料呈漂浮状态。