[发明专利]凸块构造与其构成的内连结构

权利要求书

1.一种凸块结构，其特征在于，包括：

一焊盘；

一钝化层，覆盖所述焊盘的周缘，其中所述钝化层包含一开口，显露出所述焊盘的部分表面区域；

一第一部位，位于所述焊盘上，所述第一部位包含一上表面及侧壁；及

一第二部位，覆盖在所述第一部位的所述上表面及其全部的所述侧壁上。

2.根据权利要求1所述的凸块结构，其特征在于，所述第二部位直接接触到所述钝化层。

3.根据权利要求1所述的凸块结构，其特征在于，所述焊盘是一金属焊盘。

4.根据权利要求3所述的凸块结构，其特征在于，所述金属焊盘包含铜、铝铜合金、或铝硅铜合金。

5.根据权利要求1所述的凸块结构，其特征在于，所述第一部位包含铜。

6.根据权利要求5所述的凸块结构，其特征在于，所述第二部位是由纯锡构成。

7.根据权利要求1所述的凸块结构，其特征在于，所述第二部位选自以下群组：镍/金、镍钯金、镍/银、金、锡-铅合金、银、有机保焊剂，及以上的组合。

8.根据权利要求1所述的凸块结构，其特征在于，所述第二部位的厚度介于1微米至10微米之间。

9.一种内连结构，用来电连接一半导体晶粒与一基板，其特征在于，包括：

一第一部位，延伸于所述半导体晶粒与所述基板的一接触表面之间；

一第二部位，覆盖在所述第一部位的整个的侧壁上；及

一接口层，位于所述第一部位与所述基板的所述接触表面之间，其中所述接口层仅单纯由一铜锡金属间化合物所构成。

10.根据权利要求9所述的内连结构，其特征在于，所述基板包含有机基板、导线架、或晶圆。

11.根据权利要求9所述的内连结构，其特征在于，所述铜锡金属间化合物包含Cu₆Sn₅、Cu₃Sn、或以上的组合。

12.根据权利要求9所述的内连结构，其特征在于，所述第一部位是由一均质的第一材料所构成，而所述第二部位是由一均质的第二材料所构成。

13.根据权利要求12所述的内连结构，其特征在于，所述均质的第一材料包含铜。

14.根据权利要求12所述的内连结构，其特征在于，所述均质的第二材料包含一金属元素。

15.根据权利要求14所述的内连结构，其特征在于，所述金属元素包含锡。

16.根据权利要求14所述的内连结构，其特征在于，所述第二部位的厚度介于1微米至10微米。

17.一种内连结构，用来电连接两片晶圆，其特征在于，包括：

一第一部位，延伸于一第一晶圆与一第二晶圆之间；

一第二部位，覆盖在所述第一部位的整个的侧壁上；及

一界面层，位于所述第一部位与所述第一晶圆或第二晶圆的一接触表面之间，其中所述接口层仅单纯由一铜锡金属间化合物所构成。