[发明专利]大角度多波段红外高增透膜系的制备方法有效
申请号: | 201610017924.1 | 申请日: | 2016-01-12 |
公开(公告)号: | CN105607159B | 公开(公告)日: | 2017-11-10 |
发明(设计)人: | 王平秋;杨柳;于清;代礼密;廖自力;薛锦;林莉;吴杨海;吉林;祝冰;张玉东;徐兵;何坚;张志斌 | 申请(专利权)人: | 西南技术物理研究所 |
主分类号: | G02B1/115 | 分类号: | G02B1/115;C23C14/30;C23C14/08;C23C14/06;C23C14/58 |
代理公司: | 成飞(集团)公司专利中心51121 | 代理人: | 郭纯武 |
地址: | 610041 四川*** | 国省代码: | 四川;51 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 角度 波段 红外 增透膜 制备 方法 | ||
1.一种大角度多波段红外高增透膜系的制备方法,其特征在于包括如下步骤:
(1)膜系参考波长λc=800,以红外玻璃IG5或红外玻璃 IG6为基底,用膜系设计公式:G/0.05M 、0.2703L、6.3405H、0.7965L、3.0094H、11.6216L、0.4436H、2.4786L、0.05M/A,计算每层膜的光学厚度值,并按上述顺序列表格,其中,G为IG5或IG6基底,M为Al2O3膜料,H为ZnSe膜料,L为YbF3膜料,A为折射率NA=1的空气介质;(2)采用超声波清洗基底工艺、考夫曼离子源辅助蒸镀工艺、光学膜层张应力、压应力匹配工艺、光学膜层粘接打底工艺、高温预热工艺和高低温退火工艺制备高增透膜;将上述M、H、L膜料依次放入镀膜机真空室的电子枪蒸发源坩锅内,先采用预镀层技术,在基底IG5和 IG6 上沉积光学厚度值6.2nm的Al2O3膜层;
(3)在光学膜层粘接打底工艺和应力匹配工艺中,根据前述膜系设计公式计算出各层膜的光学厚度值和表格顺序,然后,将Al2O3、ZnSe和YbF3三种膜料依次放入旋转电子枪蒸发源坩锅中,用清洗液清洁被镀基底,吹干,放入光学真空镀膜机的真空室抽真空待镀;在真空环境下,在30℃~200℃范围内逐渐升温烘烤,加温烘烤基底,在离子源辅助蒸镀工艺中,用离子源在镀膜前和镀膜过程中轰击基底,一直让其产生的离子束轰击基底到镀膜完成。
2.如权利要求1所述大角度多波段红外高增透膜系的制备方法,其特征在于:所述的镀膜超声波清洗基底工艺是将IG5或IG6基底放入盛有乙醇做清洗液的超声波清洗机内,选用中档位清洗10分钟,再换用丙酮清洗液清洗10分钟,用高纯氮气吹干,放入洁净的真空室载盘架并关门抽真空待镀。
3.如权利要求1所述的大角度多波段红外高增透膜系的制备方法,其特征在于:所述的光学膜层粘接打底工艺是将与IG5或IG6基底粘接的0.05M Al2O3层膜料镀制在第一层。
4.如权利要求1所述的大角度多波段红外高增透膜系的制备方法,其特征在于:在膜系设计和膜料排布上进行应力匹配,按H、M、L三种膜料的应力性质,交替排布压应力膜料和张应力膜料。
5.如权利要求1所述的大角度多波段红外高增透膜系的制备方法,其特征在于:在加温烘烤基底时,当抽真空到10-3Pa数量级时,从30℃开始加烘烤,缓慢升温一直升到200℃保温120分钟,工件旋转20转/分钟。
6.如权利要求1所述的大角度多波段红外高增透膜系的制备方法,其特征在于:所述的考夫曼离子源辅助蒸镀工艺是在镀膜前将离子源参数调到:屏极电压600V,束流85mA,充纯度99.99%的高纯氩气Ar或氧气O2,将真空度控制在1.0×10-2Pa,用产生的离子束轰击球罩基底20分钟。
7.如权利要求1所述的大角度多波段红外高增透膜系的制备方法,其特征在于:高低温退火工艺是将镀完膜的IG5或IG6基底自然冷却到室温后,再从真空室转移到干燥箱进行退火处理:从40℃开始升温,每升温10℃再恒温10分钟,一直升到130℃,恒温8~10小时后降温,每降温10℃恒温10分钟,降到常温30℃,取出检测待用。
8.如权利要求1所述的大角度多波段红外高增透膜系的制备方法,其特征在于:根据由膜系设计公式从第1到第9层的顺序和表格计算出的各层膜的光学厚度值开始镀膜;光学厚度值的判断以“光控”显示的各层光学厚度值为准,“晶控”显示的各层膜几何厚度值为计算光学厚度值的参考,公式中各层膜前的系数是“光控”四分之一波长极值的倍数值。
9.如权利要求1所述的大角度多波段红外高增透膜系的制备方法,其特征在于:用真空泵将真空室抽真空至10-2~10-3 Pa数量级,预先放入真空室的坩锅内的各种膜料在电子枪产生高压、高温的电子束作用下,形成蒸气分子,按设计要求依次附着生长在光学零件基底表面。
10.如权利要求1所述的所述的大角度多波段红外高增透膜系的制备方法,其特征在于:所述的各层膜的光学厚度值如下表所示:
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西南技术物理研究所,未经西南技术物理研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201610017924.1/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。