[发明专利]一种用于扇出式圆片级封装的散热构件及制造方法

权利要求书

1.一种用于扇出式圆片级封装的散热构件，包括若干芯片(12)和圆形布线层(13)，其特征在于：所述芯片(12)的正面按矩阵式安置在所述布线层(13)的背面，所述芯片(12)的背面和侧面以及所述布线层(13)未被所述芯片(12)覆盖的背面上包裹有塑封层(11)构成扇出式圆片(1)，所述塑封层(11)对应芯片(12)的背面上还通过设有成方形排列的若干盲孔(14)设置有凸出塑封层(11)背面的导热铜柱(6)；所述盲孔(14)为锥形，且锥形尖端指向芯片；所述盲孔(14)的孔深为所述芯片(12)背面到所述塑封层(11)背面的垂直距离D少100微米，所述盲孔(14)的轴线之间的距离L为大于等于盲孔(14)最大直径的两倍；所述导热铜柱(6)凸出塑封层(11)背面的高度H为大于等于导热铜柱(6)的直径；通过以下步骤制造而成：

步骤1、采用支撑圆片(2)并通过键合胶(3)将扇出式圆片(1)的正面与支撑圆片(2)的背面进行键合；

步骤2、在塑封层(11)对应芯片(12)垂直投影区域内的背面进行所述盲孔(14)的钻孔加工；

步骤3、在塑封层(11)的背面和盲孔(14)的内壁采用沉积法形成铜种子层(4)；

步骤4、在铜种子层(4)表面涂光刻胶层(5)；

步骤5、对光刻胶层(5)进行曝光和显影，形成光刻胶图形层(51)，其中盲孔(14)对塑封层(11)背面垂直投影形成的圆在光刻胶图形层(51)对塑封层(11)背面垂直投影形成的圆的内部；

步骤6、在盲孔(14)的铜种子层(4)表面进行电镀，形成导热铜柱(6)；

步骤7、采用化学经泡法去除铜种子层残留层(41)表面的光刻胶图形层(51)；

步骤8、采用化学腐蚀法去除塑封层(11)背面的铜种子层残留层(41)；

步骤9、采用化学浸泡法去除键合胶(3)，采用机械剥离法去除支撑圆片(2)。

2.一种用于扇出式圆片级封装的散热构件的制造方法，其特征在于：具体按照以下步骤进行：

第一步，键合支撑圆片：采用支撑圆片(2)并通过键合胶(3)将扇出式圆片(1)的正面与支撑圆片(2)的背面进行键合；

第二步，扇出式圆片背面钻孔：在塑封层(11)对应芯片(12)垂直投影区域内的背面进行盲孔(14)的钻孔加工；

第三步，扇出式圆片背面沉积铜种子层：在塑封层(11)的背面和盲孔(14)的内壁采用沉积法形成铜种子层(4)；

第四步，铜种子层表面涂光刻胶：在铜种子层(4)表面涂光刻胶层(5)；

第五步，光刻胶层曝光和显影：对光刻胶层(5)进行曝光和显影，形成光刻胶图形层(51)，其中盲孔(14)对塑封层(11)背面垂直投影形成的圆在光刻胶图形层(51)对塑封层(11)背面垂直投影形成的圆的内部；

第六步，扇出式圆片背面形成导热铜柱：在盲孔(14)的铜种子层(4)表面进行电镀，形成导热铜柱(6)；

第七步，扇出式圆片背面去除光刻胶：采用化学经泡法去除铜种子层残留层(41)表面的光刻胶图形层(51)；

第八步，扇出式圆片背面去除铜种子层：采用化学腐蚀法去除塑封层(11)背面的铜种子层残留层(41)；

第九步，去除支撑圆片：采用化学浸泡法去除键合胶(3)，采用机械剥离法去除支撑圆片(2)；

其中，第一步所述的支撑圆片(2)为硅圆片、玻璃圆片或者陶瓷圆片；

第二步所述的钻孔加工的方法为激光钻孔或者机械钻孔；

第三步所述的沉积法为物理气相沉积、化学气相沉积和化学液相沉积中的任一种。