[发明专利]半导体器件和用于制造半导体器件的方法有效
| 申请号： | 201610015092.X | 申请日： | 2011-05-25 |
| 公开（公告）号： | CN105529392B | 公开（公告）日： | 2019-10-18 |
| 发明（设计）人： | 迈克尔·克鲁帕;西蒙·耶雷比奇 | 申请（专利权）人： | 欧司朗光电半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/56 | 分类号： | H01L33/56;H01L33/54;H01L33/50;H01L33/58 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 丁永凡;张春水 |
| 地址： | 德国雷*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 用于 制造 方法 | ||
1.半导体器件(1)，所述半导体器件具有光电子的半导体芯片(2)和设置在所述半导体芯片的辐射穿透面(20)上的光学元件(3)，其中
-所述光学元件以高折射率的聚合物材料为基础，其中所述聚合物材料具有至少为1.52的折射率；
-所述光学元件在横向方向上最多延伸到所述半导体芯片的侧面(201)；所述半导体器件具有第一接触部(51)和第二接触部(52)；
-所述光学元件直接邻接于所述半导体芯片；
-所述半导体芯片经由连接导线(6)导电地与所述第二接触部连接；以及
-所述光学元件覆盖所述连接导线的一部分。
2.根据权利要求1所述的半导体器件，
其中所述光学元件包含硅树脂、环氧化物或杂化材料。
3.根据权利要求1所述的半导体器件，
其中用于提高折射率的纳米微粒被嵌入到所述高折射率的聚合物材料中。
4.根据权利要求1至3之一所述的半导体器件，
其中在所述半导体器件的俯视图中，所述光学元件在背离所述半导体芯片的一侧凸形地弯曲。
5.根据权利要求1至3之一所述的半导体器件，
其中发光转换材料(32)被嵌入到所述光学元件中。
6.根据权利要求1至3之一所述的半导体器件，其中所述连接导线是接合线。
7.根据权利要求1至3之一所述的半导体器件，其中所述连接导线至少局部地在所述光学元件(3)的外部延伸。
8.根据权利要求1至3之一所述的半导体器件，其中所述半导体器件具有包套(4)，所述包套封装所述半导体芯片和所述连接导线。
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