[发明专利]硒化铜空心管状多级结构材料及其制备方法和应用

权利要求书

1.硒化铜空心管状多级结构材料的制备方法，其特征在于，该方法采用以下步骤：

(1)制备氢氧化铜阵列和硒离子前驱体溶液；

(2)将氢氧化铜阵列浸入0.005-0.02mol/L的硒离子前驱体溶液中反应1-60分钟；

(3)将步骤(2)处理过的阵列浸泡到4-6mol/L的氨水溶液中，除去残余的氢氧化铜模板，即获得硒化铜空心管阵列结构，将阵列从铜片上刮下即获得硒化铜空心管状多级结构材料；该材料为由不规则的超薄硒化铜片组装而成的一维空心管状多级结构，其中空心管的直径为500nm-700nm，其空心的直径为100nm-200nm。

2.根据权利要求1所述的硒化铜空心管状多级结构材料的制备方法，其特征在于，所述的超薄硒化铜片的厚度为1.3-6.3nm。

3.根据权利要求1所述的硒化铜空心管状多级结构材料的制备方法，其特征在于，所述的超薄硒化铜片的BET比表面积为15.7-72.3m²/g。

4.根据权利要求1所述的硒化铜空心管状多级结构材料的制备方法，其特征在于，硒化铜为立方相Cu_2-XSe(JCPDF 6-680)材料。

5.根据权利要求1所述的硒化铜空心管状多级结构材料的制备方法，其特征在于，所述的氢氧化铜阵列采用但不限于以下方法制备:

(1)用砂纸将铜箔进行打磨铜箔，依次使用丙酮、乙醇、二次去离子水超声洗涤后真空干燥；

(2)在室温下，将铜箔浸泡于含有氢氧化钠、过硫酸铵及氨水的二次去离子水的混合液中，反应40-60分钟，依次用二次水和乙醇冲洗，真空干燥，即得到氢氧化铜阵列。

6.根据权利要求5所述的硒化铜空心管状多级结构材料的制备方法，其特征在于，混合液中氢氧化钠的浓度为1-3mol/mL，过硫酸铵的浓度为0.05-0.2mol/mL，氨水的浓度为2-3wt％。

7.根据权利要求1所述的硒化铜空心管状多级结构材料的制备方法，其特征在于，所述的硒离子前驱体溶液为包含硒粉、硼氢化钠及氢氧化钠的混合水溶液。

8.根据权利要求7所述的硒化铜空心管状多级结构材料的制备方法，其特征在于，所述的硒粉的含量为0.005-0.02mol/L，硼氢化钠的含量为0.025-0.1mol/L，氢氧化钠的含量为0.025-0.1mol/L。

9.如权利要求1所述的硒化铜空心管状多级结构材料作为量子点敏化电池对电极材料的应用。