[发明专利]一种电磁执行器温升与损耗特性的分析方法在审

专利信息
申请号: 201610014844.0 申请日: 2016-01-11
公开(公告)号: CN105676026A 公开(公告)日: 2016-06-15
发明(设计)人: 李波;王赓;葛文庆 申请(专利权)人: 山东理工大学
主分类号: G01R31/00 分类号: G01R31/00
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 255049 山东省淄博*** 国省代码: 山东;37
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摘要:
搜索关键词: 一种 电磁 执行 器温升 损耗 特性 分析 方法
【权利要求书】:

1.一种电磁执行器温升与损耗特性的分析方法,其特征在于,包括:

S1.电磁执行器的内部损耗形式辨识与评估;

S2.电磁执行器的损耗测试;

S3.引起温升的损耗定量分析;

S4.能量损耗的理论模型;

S5.三维耦合暂态分析模型;

S6.电磁执行器的温升测试;

S7.温度场分布与损耗规律;

S8.结果吻合?

S9.电磁执行器的温升与损耗特性。

2.根据权利要求1所述的一种电磁执行器温升与损耗特性的分析方法,其特征在于:所述步骤S1的电磁执行器的内部损耗形式与评估包括机械损耗、铜耗和铁耗。

3.根据权利要求1所述的一种电磁执行器温升与损耗特性的分析方法,其特征在于:所述步骤S1、S2、S3、S4、S5、S6和S7均与电磁执行器的材料特性、控制参数和结构参数相关。

4.根据权利要求1所述的一种电磁执行器温升与损耗特性的分析方法,其特征在于:所述步骤S5的三维耦合暂态分析模型为电磁执行器通用分析模型。

5.根据权利要求1所述的一种电磁执行器温升与损耗特性的分析方法,其特征在于:所述步骤S2的电磁执行器的损耗测试包括S10、S20、S30、S40、S50、S70和S80;所述步骤S6的电磁执行器的温升测试包括S10、S20、S30、S40、S60、S70和S80。

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