[发明专利]低漏双向夹钳和形成其的方法

权利要求书

1.一种用于高电压接口的双向夹钳，所述双向夹钳包括：

半导体衬底；

在半导体衬底中的第一导电类型的第一阱区；

在半导体衬底中的第一导电类型的第二阱区；

在半导体衬底中与第一导电类型相反的第二导电类型的第三阱区，其中该第三阱区中的至少一部分位于第一阱区和第二阱区之间；

在第三阱区上的多个氧化区，其中，所述多个氧化区和第三阱区在多个氧化物半导体界面相遇；和

在第三阱区中第二导电类型的抗反转环结构，其中所述抗反转环结构被配置成通过沿所述多个氧化物半导体界面中断从第一阱区到第二阱区的电路径，而抑制电荷捕获诱导的漏电流。

2.如权利要求1所述的双向夹钳，其中，所述抗反转环结构包括第二导电类型的第一有源环，其中该第一有源环包围第一阱区的周界。

3.如权利要求2所述的双向夹钳，其中，所述抗反转环结构包括第二导电类型的第二有源环，其中该第二有源环包围第二阱区的周界。

4.如权利要求1所述的双向夹钳，其中，所述抗反转环结构包括第二导电类型的有源环，其中所述有源环位于第一阱区和第二阱区之间。

5.如权利要求4所述的双向夹钳，

其中，所述第一阱区在上侧和下侧之间在第一方向伸长，

其中，所述第二阱区在上侧和下侧之间在第一方向伸长，

其中，第三有源环在第一方向伸长并且延伸超出所述第一阱区和第二阱区的上侧和超出第一阱区和第二阱区的下侧。

6.如权利要求1所述的双向夹钳，其中，所述抗反转环结构是电浮动的。

7.如权利要求1所述的双向夹钳，

其中，所述第一阱区在上侧和下侧之间在第一方向伸长，

其中，第一导电类型的第二阱区在上侧和下侧之间在第一方向伸长，

其中，所述抗反转环结构包括所述第二导电类型的第一漏电流阻挡有源区，其中该第一漏电流阻挡有源区在第一方向伸长并且延伸超出所述第一阱区和第二阱区的上侧和超出第一阱区和第二阱区的下侧。

8.如权利要求7所述的双向夹钳，进一步包括在第一漏电流阻挡有源区下方的第三阱区中的第二导电类型的第一浅阱，其中所述第一浅阱提高邻近半导体衬底的表面的第二导电类型的载流子浓度。

9.如权利要求7所述的双向夹钳，其中所述抗反转环结构还包括第二导电类型的第二漏电流阻挡有源区，其中该第二漏电流阻挡有源区在第一方向伸长并且延伸超出第一阱区和第二阱区的上侧和超出第一阱区和第二阱区的下侧，其中，所述第二漏电流阻挡有源区和第一漏电流阻挡有源区被定位在第一阱区的相对侧。

10.如权利要求9所述的双向夹钳，其中，所述抗反转环结构还包括第二导电类型的第三漏电流阻挡有源区，其中该第三漏电流阻挡有源区在第一方向伸长并且延伸超出第一阱区和第二阱区的上侧和超出第一和第二阱区的下侧，其中第三漏电流阻挡有源区邻近于所述第一漏电流阻挡有源区位于第一阱区和第二阱区之间。

11.如权利要求10所述的双向夹钳，其中，所述抗反转环结构还包括第二导电类型的第四漏电流阻挡有源区和第二导电类型的第五漏电流阻挡有源区，

其中，第四漏电流阻挡有源区邻近所述第一阱区的上侧，并且在基本上垂直于第一方向的第二方向延伸，其中所述第四漏电流阻挡有源区交叉第一漏电流阻挡有源区，所述第二漏电流阻挡有源区和所述第三漏电流阻挡有源区，

其中，所述第五漏电流阻挡有源区邻近所述第一阱区的下侧，并在第二方向延伸，其中所述第五漏电流阻挡有源区交叉所述第一漏电流阻挡有源区、所述第二漏电流阻挡有源区和第三漏电流阻挡有源区。