[发明专利]具有结合层的量子点发光二极管基板及其制备方法

说明书

技术领域

本发明的实施例涉及具有结合层的量子点发光二极管基板，使用这种量子点发光二极管基板的显示面板和显示设备，及其制备方法。

背景技术

有源矩阵有机发光二极管(AMOLED)曾被公认为有希望成为取代液晶显示器(LCD)的下一代显示，但是随着消费者的消费水平的提升，高分辨率产品成为显示产品的重点发展方向，而高分辨率的AMOLED产品很难同LCD竞争，这是因为通常采用掩模蒸发的方法制备有机发光显示的有机层结构，但是掩模蒸发方法存在着对位困难，良品率低，无法实现更小像素面积发光，无法精确控制蒸发区域等缺陷，从而无法满足目前迅速发展的对高分辨率显示的需求；而采用印刷和打印的方法取代掩模蒸发法制备的有机发光层的分辨率极其有限。因而高分辨率的AMOLED产品面临着技术难度高，产品良率低，商品价格高的问题。

量子点(Quantum Dots，QDs)，又称为纳米晶，是一种由II－VI族或III－V族元素构成的纳米颗粒。量子点的粒径一般介于1～20nm之间，由于电子和空穴被量子限域，连续的能带结构变成分立的能级结构，受激后可以发射荧光。

随着量子点技术的深入发展，电致量子点发光二极管的研究日益深入，量子效率不断提升，已基本达到产业化的水平，进一步采用新的工艺和技术来实现其产业化已成为未来的趋势。为了提升OLED分辨率，需要使OLED蒸镀掩模板进一步减小Mask工艺线宽，需要更高精度的打印喷头等，这在规模化生产工艺中往往较难满足。因此，需要大规模制备量子点发光二极管的方法，其能够实现高分辨率，提升工艺良率，提升量子点的使用率。

发明内容

本发明至少一个实施例提供一种量子点发光二极管(QD-LED)基板、包含该量子点发光二极管(QD-LED)基板的显示面板及量子点发光二极管(QD-LED)基板的制备方法。所述量子点发光二极管(QD-LED)基板可以以高的分辨率和方便的工艺制备，适合于大规模生产。该制备方法具有提升的工艺良率，适合于大规模生产。

本发明至少一个实施例提供一种量子点发光二极管(QD-LED)基板，其包括多个亚像素发光区域，其中每个亚像素发光区域包括发光层，所述发光层包括结合层和与所述结合层结合的量子点。

例如，在本发明一个实施例提供的量子点发光二极管基板中，所述结合层含有有机树脂。

例如，在本发明一个实施例提供的量子点发光二极管基板中，所述有机树脂包括环氧树脂。

例如，在本发明一个实施例提供的量子点发光二极管基板中，所述结合层和所述量子点之间通过形成交联网络而结合，所述量子点形成量子点层。

例如，在本发明一个实施例提供的量子点发光二极管基板中，所述量子点通过嵌入所述结合层中而与所述结合层结合。

例如，在本发明一个实施例提供的量子点发光二极管基板中，所述结合层的厚度为5至50纳米。

例如，在本发明一个实施例提供的量子点发光二极管基板中，所述结合层由有机半导体材料或者有机导体材料制成。

本发明至少一个实施例还提供一种包含上述量子点发光二极管基板的显示面板。

本发明至少一个实施例还提供一种制备量子点发光二极管基板的方法，包括：

步骤1：在基板上形成结合材料的层，并对该结合材料的层进行图案化从而形成对应于多个发光亚像素区域的图案的结合层；

步骤2：在该结合层上涂覆量子点；

步骤3：通过外部引发条件，使得所述量子点与所述结合层结合，而将量子点固定在相应的发光亚像素区域中；和

步骤4：除去未结合的量子点，从而形成包含结合层和与所述结合层结合的量子点的发光层。

例如，在本发明一个实施例提供的量子点发光二极管基板的制备方法中，所述外部引发条件选自外部光引发、外部热引发、外部压力引发及其组合。

例如，在本发明一个实施例提供的量子点发光二极管基板的制备方法中，所述结合层的有机官能团可以与量子点的有机官能团相互反应，从而形成以量子点无机核为中心的交联网络

例如，在本发明一个实施例提供的量子点发光二极管基板的制备方法中，所述结合材料含有有机树脂。

例如，在本发明一个实施例提供的量子点发光二极管基板的制备方法中，所述有机树脂包括环氧树脂。

例如，在本发明一个实施例提供的量子点发光二极管基板的制备方法中，所述量子点通过嵌入所述结合层中而与所述结合层结合。