[发明专利]发光二极管封装结构及其制造方法有效
申请号: | 201610012373.X | 申请日: | 2012-04-27 |
公开(公告)号: | CN105702844B | 公开(公告)日: | 2018-07-20 |
发明(设计)人: | 不公告发明人 | 申请(专利权)人: | 中山市天鑫光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L33/60 | 分类号: | H01L33/60;H01L21/60;H01L33/46 |
代理公司: | 北京权智天下知识产权代理事务所(普通合伙) 11638 | 代理人: | 王新爱 |
地址: | 528478 广东省中山市横*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发光二极管 封装 结构 及其 制造 方法 | ||
1.一种发光二极管封装结构制造方法,包括以下步骤:
提供一基板,基板上开设若干通孔,并在通孔中填充金属材料以形成电极,该若干通孔包括一组或两组以上,每组通孔至少包括四个通孔,该四个通孔相邻两个之间形成第一间隔区,各组通孔组与组之间形成第二间隔区,第一间隔区的宽度小于第二间隔区的宽度;
在基板上形成反射杯;
将若干发光二极管芯片装设于反射杯内并与基板的电极电性连接;
在反射杯内形成封装层,该封装层的顶面与反射杯的顶面平齐,以形成一个共同的水平面;
在封装层的上部铺设反射层;及
切割基板使每一反射杯分割成具有相对开口的两部分。
2.如权利要求1所述的发光二极管封装结构制造方法,其特征在于:在封装层的上部铺设反射层的步骤是在所述封装层的顶面铺设金属薄膜,该封装层的顶面与反射杯的顶面共面,所述反射层自封装层的顶面延伸至反射杯的顶面。
3.如权利要求2所述的发光二极管封装结构制造方法,其特征在于:该反射层的厚度在0.03至2微米之间。
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