[发明专利]一种半导体器件及其制造方法、电子装置

权利要求书

1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括：

提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有层间介电层，在所述层间介电层中形成有通孔；

形成完全填充所述通孔的底部电极材料层；

沉积相变材料层，覆盖所述底部电极材料层，所述相变材料层的材料为掺氮的GeSbTe。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述沉积为物理气相沉积。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述沉积的氮源为氮气，氮气和氩气的体积比大于27:3。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，实施所述沉积后，还包括实施湿法清洗的步骤，以去除附着于所述相变材料层表面的杂质。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述湿法清洗在室温下进行。

6.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，实施所述湿法清洗后，还包括图形化所述相变材料层的步骤。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述图形化相变材料层的步骤包括：在所述相变材料层上依次形成硬掩膜层、先进图案化层、覆盖层和光刻胶层；以所述光刻胶层为掩膜，依次蚀刻所述覆盖层、所述先进图案化层、所述硬掩膜层和所述相变材料层；实施所述蚀刻后，采用灰化工艺去除所述光刻胶层、所述覆盖层和所述先进图案化层。

8.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，在图形化所述相变材料层后，还包括在所述相变材料层上形成顶部金属电极的步骤。

9.一种半导体器件，其特征在于，包括：半导体衬底，位于所述半导体衬底上的层间介电层，位于所述层间介电层中的通孔，位于所述通孔内的底部电极材料层，位于所述底部电极材料层上的相变材料层，所述相变材料层的材料为掺氮的GeSbTe。

10.一种电子装置，其特征在于，所述电子装置包括权利要求9 所述的半导体器件。