[发明专利]存储器装置刷新方法及可调整刷新操作频率的存储器装置

权利要求书

1.一种存储器装置的刷新方法，适用于一存储器装置的其中一个半导体阱区的一存储器阵列，其特征在于，包括：

记录每个擦除指令中的擦除脉冲次数及/或擦除电压位准；

判断未被选择的多个扇区；

判断任一所述擦除脉冲次数或所述擦除电压位准是否大于等于一预定值；

当任一所述擦除脉冲次数或所述擦除电压位准大于等于所述预定值时，使用一第二刷新操作频率刷新所述未被选择的扇区；以及

当所述擦除脉冲次数或所述擦除电压位准小于所述预定值时，使用一第一刷新操作频率刷新所述未被选择的扇区，且所述第一刷新操作频率小于所述第二刷新操作频率。

2.如权利要求1所述的刷新方法，其特征在于，所述存储器装置为一闪存。

3.如权利要求1所述的刷新方法，其特征在于，于执行固定数量的擦除指令之后，执行所述的刷新方法，且所述第二刷新操作频率刷新的未被选择的扇区的数目大于所述第一刷新操作频率刷新的未被选择的扇区的数目。

4.如权利要求3所述的刷新方法，其特征在于，更包括记录已刷新的未被选择的扇区的地址，且使用所述第一刷新操作频率或所述第二刷新操作频率刷新未曾被刷新的所述未被选择的扇区。

5.如权利要求1所述的刷新方法，其特征在于，于执行可变数量的擦除指令之后，执行所述的刷新方法，且当使用所述第二刷新操作频率时，于刷新操作前对选择的扇区执行擦除指令的次数小于使用所述第一刷新操作频率时于刷新操作前对选择的扇区执行擦除指令的次数。

6.如权利要求5所述的刷新方法，其特征在于，使用所述第一刷新操作频率或所述第二刷新操作频率刷新所有的所述未被选择的扇区。

7.如权利要求5所述的刷新方法，其特征在于，所述第二刷新操作频率刷新的未被选择的扇区的数目大于所述第一刷新操作频率刷新的未被选择的扇区的数目。

8.如权利要求7所述的刷新方法，更包括记录已刷新的未被选择的扇区的地址，且使用所述第一刷新操作频率或所述第二刷新操作频率刷新未曾被刷新的所述未被选择的扇区。

9.一种可调整刷新操作频率的存储器装置，其特征在于，包括：

一存储器阵列，包括多个扇区，设置于一半导体阱区；

一解码器，接收一地址信号，所述解码器根据所述地址信号选择所述多个扇区的其中一者，并提供至少一擦除脉冲及其对应的擦除电压位准至所述被选择的扇区；

一擦除条件记录器，记录每个擦除指令中的擦除脉冲次数及/或擦除电压位准；以及

一暂存器，储存一第一刷新操作频率与一第二刷新操作频率，且所述第一刷新操作频率小于所述第二刷新操作频率；

其中，当所述擦除脉冲次数或所述擦除电压位准大于等于一预定值时，使用所述第二刷新操作频率刷新未被选择的扇区；

其中，当所述擦除脉冲次数或所述擦除电压位准小于所述预定值时，使用所述第一刷新操作频率刷新所述未被选择的扇区。

10.如权利要求9所述的存储器装置，其特征在于，所述存储器装置为一闪存。

11.如权利要求9所述的存储器装置，其特征在于，所述第二刷新操作频率刷新的未被选择的扇区的数目大于所述第一刷新操作频率刷新的未被选择的扇区的数目。

12.如权利要求9所述的存储器装置，其特征在于，当使用所述第二刷新操作频率时，于刷新操作前对选择的扇区执行擦除指令的次数小于使用所述第一刷新操作频率时于刷新操作前对选择的扇区执行擦除指令的次数。

13.如权利要求12所述的存储器装置，其特征在于，使用所述第一刷新操作频率或所述第二刷新操作频率刷新所有的所述未被选择的扇区。

14.如权利要求12所述的存储器装置，其特征在于，所述第二刷新操作频率刷新的未被选择的扇区的数目大于所述第一刷新操作频率刷新的未被选择的扇区的数目。