[发明专利]一种单模多环纤芯耦合多块掺稀土瓣状纤芯的光纤

权利要求书

1.单模多环纤芯耦合多块掺稀土瓣状纤芯的光纤，其特征为：该光纤中心 为掺稀土离子芯区(1)，由内到外分布第一硅环芯(2，1)、第一掺稀土离子环 芯(3,1)……第N硅环芯(2，N)、第N掺稀土离子环芯(3，N)，该光纤内 包层围绕第N掺稀土离子环芯(3，N)均匀分布M个相同半径、弧度和厚度的 瓣状纤芯(4，1)……(4，M)，内包层(5)，外包层(6)，1≤N≤5整数， 3≤M≤32整数；

掺稀土离子芯区(1)、掺稀土离子环芯(3，1)……(3，N)、瓣状纤芯 (4，1)……(4，M)的折射率相等；第一硅环芯(2，1)……第N硅环芯(2， N)的折射率相等；第一硅环芯(2，1)……第N硅环芯(2，N)的折射率小 于掺稀土离子芯区(1)、掺稀土离子环芯(3，1)……(3，N)、瓣状纤芯(4、 1)……(4、M)的折射率；内包层(5)的折射率小于第一硅环芯(2，1)…… 第N硅环芯(2，N)的折射率，外包层(6)的折射率小于内包层(5)的折射 率。

2.根据权利要求1所述的单模多环纤芯耦合多块掺稀土瓣状纤芯的光 纤，其特征为：掺稀土离子芯区(1)、掺稀土离子环芯(3，1)……(3，N)、 瓣状纤芯(4，1)……(4，M)的掺稀土离子类型包括钕离子、铒离子、镱离 子、钍离子、镨离子、钬离子、钐离子、钕镱共掺离子或铒镱共掺离子；掺稀 土离子芯区(1)、掺稀土离子环芯(3，1)……(3，N)、瓣状纤芯(4，1)…… (4，M)的掺稀土离子类型相同。

3.根据权利要求1所述的单模多环纤芯耦合多块掺稀土瓣状纤芯的光 纤，其特征为：掺稀土离子芯区(1)的纤芯直径小于等于50μm；掺稀土离子 环芯(3，1)……(3，N)的各环芯厚度小于等于5μm，瓣状纤芯(4，1)…… (4，M)的厚度小于等于25μm。

4.根据权利要求1所述的单模多环纤芯耦合多块掺稀土瓣状纤芯的光 纤，其特征为：掺稀土离子芯区(1)与第一掺稀土离子环芯(3,1)的最小距离 小于等于5μm，各个掺稀土离子环芯(3，1)……(3，N)之间的最小距离小 于等于5μm，瓣状纤芯(3，1)、(3，2)……(3，M)均匀分布，各块瓣状纤 芯弧度等于180°除以M。