[发明专利]发光装置及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201610008810.0 申请日: 2010-08-06
公开(公告)号: CN105449119B 公开(公告)日: 2018-03-23
发明(设计)人: 山崎舜平;坂田淳一郎;坂仓真之;及川欣聪;冈崎健一;丸山穗高 申请(专利权)人: 株式会社半导体能源研究所
主分类号: H01L51/52 分类号: H01L51/52;H01L51/54;H01L51/56
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司72001 代理人: 叶晓勇,付曼
地址: 日本神奈*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 发光 装置 及其 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种发光装置,包括:

晶体管,包括:

第一栅电极层;

所述第一栅电极层上的第一绝缘层;

氧化物半导体层,包含所述第一绝缘层上的沟道形成区域;

所述氧化物半导体层上的源电极层和漏电极层;

所述氧化物半导体层、所述源电极层和所述漏电极层上的第二绝缘层;以及

所述第二绝缘层上的导电层,其中所述导电层与所述沟道形成区域重叠;

连接端子,包括:

第一端子;

所述第一端子上的包含第一接触孔的所述第一绝缘层;

连接电极,在所述第一端子上并通过所述第一接触孔与所述第一端子接触;

所述连接电极上的包含第二接触孔的所述第二绝缘层;以及

端子电极,在所述连接电极上并通过所述第二接触孔与所述连接电极接触;以及

发光部分,包括:

滤色片层;以及

所述滤色片层上的发光元件,

其中所述第一端子由与所述第一栅电极层相同的层形成,

其中所述连接电极由与所述源电极层和所述漏电极层相同的层形成,并且

其中所述端子电极由与所述导电层相同的层形成。

2.一种发光装置,包括:

晶体管,包括第一栅电极层、第一栅极绝缘层、氧化物半导体层、源电极层、漏电极层、氧化物绝缘膜和导电层;

连接端子,包括第一端子和端子电极;以及

发光部分,包括滤色片层和发光元件,

其中所述第一栅电极层和所述导电层彼此重叠,

其中所述第一栅电极层电连接到所述导电层,

其中所述第一端子由与所述第一栅电极层相同的层形成,

其中所述端子电极由与所述导电层相同的层形成,并且

其中所述第一端子电连接到所述端子电极。

3.一种发光装置,包括:

晶体管,包括第一栅电极层、第一栅极绝缘层、氧化物半导体层、源电极层、漏电极层、氧化物绝缘膜和导电层;

连接端子,配置成电连接到柔性印刷电路,所述连接端子包括第一端子和端子电极;以及

发光部分,包括滤色片层和所述滤色片层上的发光元件,

其中所述第一栅电极层和所述导电层彼此重叠,

其中所述第一栅电极层电连接到所述导电层,

其中所述第一端子由与所述第一栅电极层相同的层形成,

其中所述端子电极由与所述导电层相同的层形成,并且

其中所述第一端子电连接到所述端子电极。

4.根据权利要求1所述的发光装置,其中所述第一栅电极层电连接到所述导电层。

5.根据权利要求1至3中的任一项所述的发光装置,其中所述晶体管包含在驱动器电路部分中。

6.根据权利要求1至3中的任一项所述的发光装置,其中所述氧化物半导体层包括铟、镓和锌。

7.根据权利要求1至3中的任一项所述的发光装置,其中所述氧化物半导体层包括铟、锡和锌。

8.根据权利要求1至3中的任一项所述的发光装置,其中所述氧化物半导体层包括处于氧过剩的状态的区域。

9.根据权利要求2或3所述的发光装置,其中所述氧化物绝缘膜包括从氧化硅膜、氧氮化硅膜、氮化硅膜、氮氧化硅膜、氧化铝膜和氧氮化铝膜中选择的叠层。

10.根据权利要求1至3中的任一项所述的发光装置,其中所述发光元件的发射颜色为白色。

11.根据权利要求1至3中的任一项所述的发光装置,

其中所述发光元件包括第一发光单元和第二发光单元,并且

其中电荷生成层设置在所述第一发光单元与所述第二发光单元之间。

12.根据权利要求1至3中的任一项所述的发光装置,

其中所述发光元件包括第一发光单元和第二发光单元,

其中所述第一发光单元的发射颜色为蓝色,并且

其中所述第二发光单元的发射颜色为黄色。

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