[发明专利]发光装置及其制造方法有效
申请号: | 201610008810.0 | 申请日: | 2010-08-06 |
公开(公告)号: | CN105449119B | 公开(公告)日: | 2018-03-23 |
发明(设计)人: | 山崎舜平;坂田淳一郎;坂仓真之;及川欣聪;冈崎健一;丸山穗高 | 申请(专利权)人: | 株式会社半导体能源研究所 |
主分类号: | H01L51/52 | 分类号: | H01L51/52;H01L51/54;H01L51/56 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司72001 | 代理人: | 叶晓勇,付曼 |
地址: | 日本神奈*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发光 装置 及其 制造 方法 | ||
1.一种发光装置,包括:
晶体管,包括:
第一栅电极层;
所述第一栅电极层上的第一绝缘层;
氧化物半导体层,包含所述第一绝缘层上的沟道形成区域;
所述氧化物半导体层上的源电极层和漏电极层;
所述氧化物半导体层、所述源电极层和所述漏电极层上的第二绝缘层;以及
所述第二绝缘层上的导电层,其中所述导电层与所述沟道形成区域重叠;
连接端子,包括:
第一端子;
所述第一端子上的包含第一接触孔的所述第一绝缘层;
连接电极,在所述第一端子上并通过所述第一接触孔与所述第一端子接触;
所述连接电极上的包含第二接触孔的所述第二绝缘层;以及
端子电极,在所述连接电极上并通过所述第二接触孔与所述连接电极接触;以及
发光部分,包括:
滤色片层;以及
所述滤色片层上的发光元件,
其中所述第一端子由与所述第一栅电极层相同的层形成,
其中所述连接电极由与所述源电极层和所述漏电极层相同的层形成,并且
其中所述端子电极由与所述导电层相同的层形成。
2.一种发光装置,包括:
晶体管,包括第一栅电极层、第一栅极绝缘层、氧化物半导体层、源电极层、漏电极层、氧化物绝缘膜和导电层;
连接端子,包括第一端子和端子电极;以及
发光部分,包括滤色片层和发光元件,
其中所述第一栅电极层和所述导电层彼此重叠,
其中所述第一栅电极层电连接到所述导电层,
其中所述第一端子由与所述第一栅电极层相同的层形成,
其中所述端子电极由与所述导电层相同的层形成,并且
其中所述第一端子电连接到所述端子电极。
3.一种发光装置,包括:
晶体管,包括第一栅电极层、第一栅极绝缘层、氧化物半导体层、源电极层、漏电极层、氧化物绝缘膜和导电层;
连接端子,配置成电连接到柔性印刷电路,所述连接端子包括第一端子和端子电极;以及
发光部分,包括滤色片层和所述滤色片层上的发光元件,
其中所述第一栅电极层和所述导电层彼此重叠,
其中所述第一栅电极层电连接到所述导电层,
其中所述第一端子由与所述第一栅电极层相同的层形成,
其中所述端子电极由与所述导电层相同的层形成,并且
其中所述第一端子电连接到所述端子电极。
4.根据权利要求1所述的发光装置,其中所述第一栅电极层电连接到所述导电层。
5.根据权利要求1至3中的任一项所述的发光装置,其中所述晶体管包含在驱动器电路部分中。
6.根据权利要求1至3中的任一项所述的发光装置,其中所述氧化物半导体层包括铟、镓和锌。
7.根据权利要求1至3中的任一项所述的发光装置,其中所述氧化物半导体层包括铟、锡和锌。
8.根据权利要求1至3中的任一项所述的发光装置,其中所述氧化物半导体层包括处于氧过剩的状态的区域。
9.根据权利要求2或3所述的发光装置,其中所述氧化物绝缘膜包括从氧化硅膜、氧氮化硅膜、氮化硅膜、氮氧化硅膜、氧化铝膜和氧氮化铝膜中选择的叠层。
10.根据权利要求1至3中的任一项所述的发光装置,其中所述发光元件的发射颜色为白色。
11.根据权利要求1至3中的任一项所述的发光装置,
其中所述发光元件包括第一发光单元和第二发光单元,并且
其中电荷生成层设置在所述第一发光单元与所述第二发光单元之间。
12.根据权利要求1至3中的任一项所述的发光装置,
其中所述发光元件包括第一发光单元和第二发光单元,
其中所述第一发光单元的发射颜色为蓝色,并且
其中所述第二发光单元的发射颜色为黄色。
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