[发明专利]一种SOI八晶体管SRAM单元及其制作方法

权利要求书

1.一种SOI八晶体管SRAM单元，所述SOI八晶体管SRAM单元包括：

第一反相器，由第一PMOS晶体管及第一NMOS晶体管组成；

第二反相器，由第二PMOS晶体管及第二NMOS晶体管组成；

获取管，由第三NMOS晶体管、第四NMOS晶体管、第五NMOS晶体管及第六NMOS晶体管组成；

其中，所述第三NMOS管的源极连接至所述第一反相器的输出端及所述第二反相器的输入端，栅极连接至存储器的写字线，漏极连接至存储器的写位线；

所述第四NMOS晶体管的源极连接至所述第二反相器的输出端及所述第一反相器的输入端，栅极连接至存储器的写字线，漏极连接至存储器的写反位线；

所述第五NMOS管的源极连接至所述第一反相器的输出端及所述第二反相器的输入端，栅极连接至存储器的读字线，漏极连接至存储器的读位线；

所述第六NMOS晶体管的源极连接至所述第二反相器的输出端及所述第一反相器的输入端，栅极连接至存储器的读字线，漏极连接至存储器的读反位线；

其特征在于：

所述第一、第二PMOS晶体管及第一、第二NMOS晶体管的源极与体区之间均连接有一隧穿二极管；对于PMOS晶体管，其源极与所述隧穿二极管的阳极连接，体区与所述隧穿二极管的阴极连接；对于NMOS晶体管，其源极与所述隧穿二极管的阴极连接，体区与所述隧穿二极管的阳极连接。

2.根据权利要求1所述的SOI八晶体管SRAM单元，其特征在于：所述隧穿二极管由P型重掺杂阳极与N型重掺杂阴极连接而成。

3.根据权利要求2所述的SOI八晶体管SRAM单元，其特征在于：对于PMOS晶体管，所述隧穿二极管的P型重掺杂阳极与所述PMOS晶体管的P型重掺杂源区共用，所述隧穿二极管的N型重掺杂阴极位于所述P型重掺杂源区底部，并与所述PMOS晶体管的体区相接触；对于NMOS晶体管，所述隧穿二极管的N型重掺杂阴极与所述NMOS晶体管的N型重掺杂源区共用，所述隧穿二极管的P型重掺杂阳极位于所述N型重掺杂源区底部，并与所述NMOS晶体管的体区相接触。

4.根据权利要求3所述的SOI八晶体管SRAM单元，其特征在于：所述P型重掺杂源区及所述N型重掺杂源区上部均形成有金属硅化物。

5.根据权利要求4所述的SOI八晶体管SRAM单元，其特征在于：所述金属硅化物选自硅化钴及硅化钛中的任意一种。

6.根据权利要求1所述的SOI八晶体管SRAM单元，其特征在于：所述SOI八晶体管SRAM单元采用自下而上依次包括背衬底、绝缘埋层及顶层硅的SOI衬底，各晶体管所在有源区之间通过上下贯穿所述顶层硅的浅沟槽隔离结构隔离。

7.根据权利要求1所述的SOI八晶体管SRAM单元，其特征在于：所述第三、第四、第五、第六NMOS晶体管的源极与体区之间均连接有一隧穿二极管。

8.根据权利要求1所述的SOI八晶体管SRAM单元，其特征在于：所述第三、第四、第五、第六NMOS晶体管中至少有一个采用普通栅NMOS管、T型栅NMOS管或H型栅NMOS管。

9.一种SOI八晶体管SRAM单元的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：

S1：提供一自下而上依次包括背衬底、绝缘埋层及顶层硅的SOI衬底，在所述顶层硅中制作浅沟槽隔离结构，定义出有源区；

S2：依据所述有源区的位置在所述顶层硅中制作N阱、第一P阱及第二P阱，其中，所述N阱位于所述第一P阱及第二P阱之间；

S3：在所述N阱中制作第一PMOS晶体管及第二PMOS晶体管；在所述第一P阱中制作第一NMOS晶体管、第三NMOS晶体管及第五NMOS晶体管；在所述第二P阱中制作第二NMOS晶体管、第四NMOS晶体管及第六NMOS晶体管；其中，所述第一、第二PMOS晶体管及第一、第二NMOS晶体管的源极与体区之间均连接有一隧穿二极管；对于PMOS晶体管，其源极与所述隧穿二极管的阳极连接，体区与所述隧穿二极管的阴极连接；对于NMOS晶体管，其源极与所述隧穿二极管的阴极连接，体区与所述隧穿二极管的阳极连接；

S4：制作金属过孔及相应金属连线，以完成所述存储器单元的制作。