[发明专利]一种MEMS器件及其制备方法、电子装置有效
| 申请号： | 201610007847.1 | 申请日： | 2016-01-07 |
| 公开（公告）号： | CN106946216B | 公开（公告）日： | 2019-09-27 |
| 发明（设计）人： | 洪中山;王伟;郑超 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | B81B7/02 | 分类号： | B81B7/02;B81C1/00 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 高伟;冯永贞 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 mems 器件 及其 制备 方法 电子 装置 | ||
【权利要求书】：
1.一种MEMS器件的制备方法，包括：
步骤S1：提供底部晶圆，在所述底部晶圆上形成有粘结材料层；
步骤S2：在所述粘结材料层的侧壁上形成第一间隙壁，以覆盖所述侧壁；
步骤S3：在所述第一间隙壁上形成第二间隙壁，以覆盖所述第一间隙壁的侧壁；
步骤S4：去除所述第一间隙壁，以在所述粘结材料层和所述第二间隙壁之间形成凹槽，防止接合过程中接合材料的溢出；
其中，所述步骤S2包括：
步骤S21：沉积第一间隙壁材料层，以覆盖所述底部晶圆和所述粘结材料层；
步骤S22：全面蚀刻所述第一间隙壁材料层，以在所述粘结材料层的内外侧壁上均形成第一间隙壁。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步骤S1中，在所述底部晶圆上形成有环形的粘结材料层，在所述步骤S4中在所述粘结材料层的周围形成环形凹槽。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步骤S1中，所述粘结材料层选用金属材料。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步骤S4中选用H2O2去除所述第一间隙壁。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还进一步包括：
步骤S5：提供顶部晶圆并将所述顶部晶圆与所述底部晶圆相接合。
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