[发明专利]非挥发性内存总成及其制作方法

权利要求书

1.一种非挥发性内存总成的制作方法，其特征在于，包括下列步骤：

(1)提供一基底；

(2)在所述基底上形成一基底介电层；

(3)在所述基底介电层上形成一第一多晶硅层，以及在所述第一多晶硅层上形成一牺 牲层；

(4)在所述基底介电层、所述第一多晶硅层及所述牺牲层上定义一第一图案开口及一 第二图案开口，且所述牺牲层堆栈在所述第一多晶硅层上彼此相间隔；

(5)选择性去除所述牺牲层，以及在所述牺牲层的两侧形成一第一暂时侧墙介电层；

(6)所述第一多晶硅层及所述牺牲层在所述基底介电层上形成若干上窄下宽的堆栈 结构，且相邻上窄下宽的堆栈结构之间在所述基底介电层上形成一镶嵌沟槽；

(7)根据所述第一图案开口进行离子布植；

(8)增厚所述镶嵌沟槽位于所述第一图案开口下方的基底介电层；

(9)在所述镶嵌沟槽形成一第一侧墙介电层，及所述第一侧墙介电层沿所述镶嵌沟槽 形成二沟槽；

(10)形成一第二多晶硅层，填入二沟槽；

(11)去除在二沟槽内于所述第二图案开口的第二多晶硅层及第一侧墙介电层；

(12)在所述基底上定义一第三图案开口，去除位于所述第三图案开口上的第一多晶 硅层及所述基底介电层以形成一第一凹槽；

(13)在所述第一凹槽内，形成一晶体管介电层及一第二侧墙介电层，且所述晶体管介 电层及所述第二侧墙介电层形成一第二凹槽；

(14)形成一第三多晶硅层，填入所述第二凹槽；

(15)在所述第二多晶硅层及所述第三多晶硅层上形成一覆盖介电层；

(16)在所述第一多晶硅层、所述覆盖介电层、所述第一侧墙介电层及所述第二侧墙介 电层上形成一耦合介电层；

(17)在耦合介电层选择性形成一第四多晶硅层；以及

(18)定义一第四图案开口以进行离子布植。

2.如权利要求1所述的非挥发性内存总成的制作方法，其特征在于，步骤(4)包括：

在所述第一多晶硅层上位于所述第一图案开口及所述第二图案开口之间形成一浮动 闸极。

3.如权利要求1所述的非挥发性内存总成的制作方法，其特征在于，步骤(5)包括：

选择性去除所述牺牲层，利用微影术在光阻上定义所述牺牲层上部分区域为屏蔽，非 等向性蚀刻去除所述牺牲层两侧，减少在水平方向上所述牺牲层的宽度。

4.如权利要求1所述的非挥发性内存总成的制作方法，其特征在于，步骤((5)更包括：

(5-1)去除所述第一暂时侧墙介电层；其中，在水平方向上第一多晶硅层的宽度大于牺 牲层，使所述牺牲层及所述第一多晶硅层二者呈凸字形状之上窄下宽的堆栈结构。

5.如权利要求1所述的非挥发性内存总成的制作方法，其特征在于，步骤(10)包括：

形成所述第二多晶硅层，填入所述第一多晶硅层、所述牺牲层及所述第一侧墙介电层 所形成呈上宽下窄的二沟槽。

6.如权利要求1所述的非挥发性内存总成的制作方法，其特征在于，步骤(15)更包括：

(15-1)去除所述牺牲层，根据在所述第二多晶硅层及所述第三多晶硅层上所形成的覆 盖介电层为屏蔽，去除水平方向上所述第一侧墙介电层、所述第二侧墙介电层及所述覆盖 介电层以外区域，所述第一多晶硅层上所堆栈的牺牲层。

7.如权利要求1所述的非挥发性内存总成的制作方法，其特征在于，步骤(16)包括：

在所述第一多晶硅层、所述内层多晶介电层及所述覆盖介电层上，沉积所述耦合介电 层，且所述耦合介电层堆栈所述耦合介电层及所述基底介电层的区域，于深度方向上在所 述基底介电层上定义一第四图案开口。