[发明专利]显示基板、制备方法及显示装置有效
申请号: | 201610006872.8 | 申请日: | 2016-01-04 |
公开(公告)号: | CN105575977B | 公开(公告)日: | 2018-11-06 |
发明(设计)人: | 桑琦;王宝强;朴相镇 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/77 |
代理公司: | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人: | 鞠永善 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 制备 方法 显示装置 | ||
1.一种显示基板,其特征在于,所述显示基板包括:栅极线、闸集成电路、数据集成电路及数据线,所述闸集成电路与所述数据集成电路分别位于所述栅极线的两侧;
所述显示基板还包括栅极引入线和触控电极引入线,每根所述触控电极引入线对应于一根所述栅极引入线,所述栅极引入线设置于靠近所述闸集成电路的一侧,所述触控电极引入线设置于靠近所述数据集成电路的一侧;
所述栅极引入线连接所述栅极线和所述闸集成电路,所述栅极引入线从所述闸集成电路一侧沿所述数据线方向延伸至与所述栅极线相连接处;
所述触控电极引入线与所述数据集成电路相连,所述触控电极引入线从所述数据集成电路一侧沿所述数据线方向延伸至所述栅极引入线与所述栅极线相连接处的远离所述栅极引入线的一方。
2.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,所述显示基板还包括第一过孔;
所述栅极引入线与所述栅极线通过所述第一过孔相连接。
3.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,所述显示基板还包括触控电极,所述触控电极被分割为多个触控子电极。
4.根据权利要求3所述的显示基板,其特征在于,所述显示基板还包括第二过孔;
所述触控电极引入线通过所述第二过孔与所述触控子电极相连接。
5.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,所述栅极引入线设置于所述数据线的一侧;或,
所述栅极引入线设置于相邻两条所述数据线之间。
6.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,所述触控电极引入线设置于所述数据线一侧;或,
所述触控电极引入线设置于相邻两条所述数据线之间。
7.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,所述栅极引入线和所述触控电极引入线均与所述数据线同层设置。
8.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,所述闸集成电路与所述数据集成电路相对设置。
9.根据权利要求8所述的显示基板,其特征在于,所述闸集成电路与所述数据集成电路分别设置于所述数据线的两端。
10.一种显示装置,其特征在于,所述显示装置包括上述权利要求1至9任一项权利要求所述的显示基板。
11.一种显示基板的制备方法,其特征在于,所述方法用于制备上述权利要求1至9中任一权利要求所述的显示基板,所述方法包括:
在衬底基板上形成栅极金属层图形;
在所述衬底基板上形成源漏极金属层图形;
其中,所述栅极金属层包括所述栅极线,所述源漏极金属层包括所述数据线、所述栅极引入线和所述触控电极引入线。
12.根据权利要求11所述的方法,其特征在于,所述显示基板为底栅结构,所述显示基板包括:
依次形成于所述衬底基板上的栅极金属层、栅极绝缘层、有源层、源漏极金属层、钝化层、像素驱动层图形、平坦层、触控电极层;
其中,所述触控电极层包括多个触控子电极,所述栅极绝缘层具有第一过孔,所述栅极线与所述栅极引入线之间通过所述第一过孔连接,所述触控电极引入线上方具有第二过孔,所述触控子电极与所述触控电极引入线一一对应,且通过所述第二过孔连接。
13.根据权利要求11所述的方法,其特征在于,所述显示基板为顶栅结构,所述显示基板包括:
依次形成于所述衬底基板上的像素驱动层、钝化层、源漏极金属层、有源层、栅极绝缘层、栅极金属层、平坦层、触控电极层;
其中,所述触控电极层包括多个触控子电极,所述栅极绝缘层具有第一过孔,所述栅极线与所述栅极引入线之间通过所述第一过孔连接,所述触控电极引入线上方具有第二过孔,所述触控子电极与所述触控电极引入线一一对应,且通过所述第二过孔连接。
14.根据权利要求11所述的方法,其特征在于,所述在衬底基板上形成源漏极金属层图形,包括:
在所述衬底基板上沉积源漏极金属薄膜;
在所述源漏极金属薄膜上涂覆一层光刻胶;
采用掩膜版对涂覆光刻胶的衬底基板表面进行曝光处理;
对曝光处理后衬底基板表面进行显影处理;
对显影处理后的衬底基板表面进行刻蚀处理,得到源漏极金属层图形。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的