[发明专利]鳍式半导体器件的形成方法

权利要求书

1.一种鳍式半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：

提供衬底，所述衬底包括电路区和存储区，所述电路区和存储区的衬底表面分别具有鳍部；

在所述衬底表面形成隔离层，所述隔离层覆盖所述鳍部的部分侧壁，且所述隔离层表面低于所述鳍部的顶部表面；

在所述隔离层和鳍部表面形成介质层，所述存储区的介质层内具有横跨所述鳍部的第一沟槽，所述第一沟槽暴露出存储区的部分鳍部侧壁和顶部表面，所述电路区的介质层内具有横跨所述鳍部的第二沟槽，所述第二沟槽暴露出电路区的部分鳍部侧壁和顶部；

在所述第一沟槽底部的鳍部侧壁和顶部上形成第一栅介质层；

在第二沟槽底部的鳍部侧壁和顶部上、以及所述第一栅介质层表面形成第二栅介质层；

在形成所述第二栅介质层之后，在所述第一沟槽内形成第一栅极，在所述第二沟槽内形成第二栅极。

2.如权利要求1所述的鳍式半导体器件的形成方法，其特征在于，所述第一栅介质层的材料为高K介质材料；所述第二栅介质层的材料为高K介质材料。

3.如权利要求1所述的鳍式半导体器件的形成方法，其特征在于，所述第一栅介质层的厚度为5埃～10埃；所述第二栅介质层的厚度为5埃～15埃。

4.如权利要求1所述的鳍式半导体器件的形成方法，其特征在于，所述第一栅介质层的形成步骤包括：在所述介质层表面、第一沟槽和第二沟槽底部暴露出的隔离层表面、以及第一沟槽和第二沟槽底部暴露出的鳍部侧壁和顶部上形成第一栅介质膜；在所述第一栅介质膜表面形成第一图形化层，所述第一图形化层覆盖第一沟槽内的第一栅介质膜；以所述第一图形化层为掩膜，刻蚀所述第一栅介质膜，直至暴露出介质层表面、以及第二沟槽底部的隔离层和鳍部表面为止，形成所述第一栅介质层。

5.如权利要求1所述的鳍式半导体器件的形成方法，其特征在于，还包括：在形成所述第一栅介质层之后，进行第一退火工艺。

6.如权利要求5所述的鳍式半导体器件的形成方法，其特征在于，所述第一退火工艺为尖峰退火或激光退火。

7.如权利要求1所述的鳍式半导体器件的形成方法，其特征在于，所述第二栅介质层的形成步骤包括：在所述介质层表面、第二沟槽底部的隔离层表面、第二沟槽底部的鳍部侧壁和顶部上、以及第一栅介质层表面形成第二栅介质层；去除介质层表面的第二栅介质层，形成所述第二栅介质层。

8.如权利要求7所述的鳍式半导体器件的形成方法，其特征在于，在形成所述第一栅极和第二栅极之前或之后，去除所述介质层表面的第二栅介质层。

9.如权利要求1所述的鳍式半导体器件的形成方法，其特征在于，还包括：在形成所述第二栅介质层之后，进行第二退火工艺。

10.如权利要求9所述的鳍式半导体器件的形成方法，其特征在于，所述第二退火工艺为尖峰退火或激光退火。

11.如权利要求1所述的鳍式半导体器件的形成方法，其特征在于，所述介质层的形成步骤包括：在所述隔离层和鳍部表面形成分别横跨所述电路区和存储区鳍部的伪栅层，所述伪栅层覆盖在部分所述鳍部的侧壁和顶部上；在所述隔离层和鳍部表面形成介质层，所述介质层覆盖所述伪栅层的侧壁，且所述介质层暴露出所述伪栅层顶部；去除所述伪栅层，在所述存储区的介质层内形成第一沟槽，在所述电路区的介质层内形成第二沟槽。

12.如权利要求11所述的鳍式半导体器件的形成方法，其特征在于，还包括：在形成伪栅层之前，在所述隔离层和鳍部表面形成伪栅介质层；在去除所述伪栅层之后，去除第一沟槽和第二沟槽底部的伪栅介质层。

13.如权利要求12所述的鳍式半导体器件的形成方法，其特征在于，所述伪栅介质层的形成工艺为原子层沉积工艺或化学气相沉积工艺。