[发明专利]共阳极肖特基半导体的封装工艺

权利要求书

1.一种共阳极肖特基半导体的封装工艺，共阳极肖特基半导体引线框架由双载体部分和散热片部分通过绝缘陶瓷烧结粘合在一起，所述双载体部分是由N个双载体单元依次排列组成的长条，散热片部分是由N个散热片单元依次排列组成的长条，每个双载体单元包括两个独立设置的基岛(1)和三个I/O管脚(2)，每个基岛(1)上焊接有一个肖特基芯片(3)，两个肖特基芯片(3)的阳极通过焊线键合共联方式与双载体单元的框架阳极(4)相连，所述框架阳极(4)居中设置在两个肖特基芯片(3)的正下方，使得位于左右两侧的I/O管脚(2)为阴极，位于中间的I/O管脚(2)为阳极，其特征在于，所述共阳极肖特基半导体的封装工艺包括以下步骤：

(A)使用绝缘陶瓷烧结粘合工艺完成双载体部分与散热片部分的粘合

将双载体部分与散热片部分在360～400℃的高温轨道中加热，并通有氮氢混合保护气体，再将双载体部分与散热片部分通过绝缘陶瓷烧结粘合在一起构成引线框架；

(B)使用高导热软焊料芯片焊接工艺完成上芯

将引线框架在330～380℃高温的轨道中加热，并通有氮氢混合保护气体，再通过高导热软焊料将两个肖特基芯片焊接在各自对应的基岛上；

(C)通过焊线键合共联技术，将芯片阳极与框架阳极通过导线相连并完成导线压焊

通过导线将两个肖特基芯片的阳极分别与框架阳极相连，并使用超声波压焊工艺完成导线压焊；

(D)塑封、去溢料、电镀、切筋分粒成型、测试及包装

所述塑封，先将引线框架预热到165～175℃，在引线框架预热温度与塑封模具的温度相差±5℃时进行上料，再合模注塑，脱模后进行固化处理。

2.按照权利要求1所述的共阳极肖特基半导体的封装工艺，其特征在于:所述引线框架选用裸铜、管脚局部镀镍、点式镀银、全镀银四种类型中的一种。

3.按照权利要求1所述的共阳极肖特基半导体的封装工艺，其特征在于:所述步骤(A)、步骤(B)中使用的氮氢混合保护气体中的含氮量为10％～14％。

4.按照权利要求1所述的共阳极肖特基半导体的封装工艺，其特征在于:所述步骤(D)中的去溢料，先进行去溢料软化，再用高压水清除掉塑封过程留下的溢料。

5.按照权利要求1所述的共阳极肖特基半导体的封装工艺，其特征在于:所述步骤(D)中的电镀，电镀前首先要去除引线框架表面的杂质及氧化物，再对引线框架表面进行轻微腐蚀，最后在引线框架表面镀上锡层，再次清洗电镀后框架表面的残留药水，电镀结束后进行烘烤。

6.按照权利要求1所述的共阳极肖特基半导体的封装工艺，其特征在于:所述步骤(D)中的切筋分粒成型，使用级进模多工位冲切分离法，冲切掉引线框架边框及中筋连结部位，形成单只产品。