[发明专利]一种玻璃陶瓷体静电抑制器及其制备方法

权利要求书

1.一种玻璃陶瓷体静电抑制器，包括玻璃陶瓷基体以及分别位于玻璃陶瓷基体内部和外部的侧内电极、侧外电极，其特征在于：

还包括一位于玻璃陶瓷基体内部的腔体结构，通过填充有机填料并控制玻璃陶瓷基体制作过程中的烧结温度和烧结气氛以使有机填料裂解后形成，且内部含有有机填料裂解产生的至少部分气体；

构成一对的两所述侧内电极位于同一水平面上，外端部分别连接于玻璃陶瓷基体两端的一对所述侧外电极，并且，两所述侧内电极之间间隔预定间距以形成电容结构，其中两所述侧内电极在导电方向上错位设置，且两者的内端部分别形成折叠方向相反的折叠结构，两个折叠方向相反的所述折叠结构在所述水平面上错位盘旋，以使两所述侧内电极之间在所述水平面上具有重叠部分，重叠部分之间间隔所述预定间距以形成所述电容结构；

所述腔体结构至少将所述电容结构包围于其腔体中。

2.如权利要求1所述的玻璃陶瓷体静电抑制器，其特征在于：所述预定间距为10～100μm。

3.如权利要求1所述的玻璃陶瓷体静电抑制器，其特征在于：所述侧内电极的厚度为1～20μm，宽度不超过侧外电极的宽度。

4.一种玻璃陶瓷体静电抑制器的制备方法，其特征在于：包括以下步骤S1～S7：

S1、将玻璃陶瓷原料进行球磨，得到玻璃陶瓷浆料；

S2、采用流延工艺将玻璃陶瓷浆料制作成玻璃陶瓷膜片；

S3、在玻璃陶瓷膜片的同一表面上，成对制作侧内电极，构成一对的两所述侧内电极位于同一水平面上，并且使得每对侧内电极之间间隔预定间距以形成电容结构；

S4、在每对侧内电极之间填充有机填料，并使得有机填料至少将所述电容结构包裹于其中；

S5、将玻璃陶瓷膜片叠层形成玻璃陶瓷块，使得侧内电极位于玻璃陶瓷块内部，然后均匀切割玻璃陶瓷块以形成多个玻璃陶瓷基体半成品，每个玻璃陶瓷基体半成品包含一对侧内电极；

S6、对玻璃陶瓷基体半成品进行烧结：控制烧结气氛，并以800～900℃的烧结温度进行烧结而形成玻璃陶瓷基体，同时使得步骤S4中填充的有机填料裂解而在有机填料的填充区形成腔体结构，并且腔体结构中含有有机填料裂解产生的至少部分气体；

S7、在玻璃陶瓷基体外部相对两侧制作侧外电极，并使得两侧外电极分别与两侧内电极的外端部连接，其中两所述侧内电极在导电方向上错位设置，且两者的内端部分别形成折叠方向相反的折叠结构，两个折叠方向相反的所述折叠结构在所述水平面上错位盘旋，以使两所述侧内电极之间在所述水平面上具有重叠部分，重叠部分之间间隔所述预定间距以形成所述电容结构。

5.如权利要求4所述的玻璃陶瓷体静电抑制器的制备方法，其特征在于：步骤S1中的玻璃陶瓷原料包括氧化铝，还包括氧化硅、氧化硼以及氧化锆中的至少一种，且氧化铝的质量百分比为5～30％。

6.如权利要求4所述的玻璃陶瓷体静电抑制器的制备方法，其特征在于：步骤S3中，所述预定间距为10～100μm。

7.如权利要求4所述的玻璃陶瓷体静电抑制器的制备方法，其特征在于：步骤S6中的烧结气氛为氢气、氧气和氮气中的至少一种。

8.如权利要求4所述的玻璃陶瓷体静电抑制器的制备方法，其特征在于：步骤S2中形成的玻璃陶瓷膜片厚度为10～100μm。

9.如权利要求4所述的玻璃陶瓷体静电抑制器的制备方法，其特征在于：步骤S6中形成的玻璃陶瓷基体的介电常数为2～5F/m。