[发明专利]一种用团簇固溶模型稳定N的高硬度Cu合金薄膜及其制备方法有效
申请号: | 201610005232.5 | 申请日: | 2016-01-06 |
公开(公告)号: | CN105648402B | 公开(公告)日: | 2018-06-22 |
发明(设计)人: | 李晓娜;郑月红;董闯 | 申请(专利权)人: | 大连理工大学 |
主分类号: | C23C14/14 | 分类号: | C23C14/14;C23C14/16;C23C14/35;C23C14/58;C22C9/06 |
代理公司: | 大连星海专利事务所有限公司 21208 | 代理人: | 花向阳 |
地址: | 116024 辽*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 薄膜 团簇 高硬度 原子百分比 合金元素 模型稳定 电阻率 固溶 制备 新材料技术领域 低电阻率 固定的 可控制 中合金 溅射 合金 保证 | ||
1.一种用团簇固溶模型稳定N的高硬度Cu合金薄膜的制备方法,其特征在于:所述Cu合金薄膜中Nb/Ni原子百分比为0.5/12~2/12,Nb、Ni与N的原子百分比总含量为2~6%;制备方法采用下列步骤:
(1)采用真空熔炼和铜模吸铸的方法将不同比例的Ni、Nb制成直径为2.9~3.1mm的母合金棒,切成厚为0.9~1.1mm的小片;
(2)将步骤(1)中的小片粘贴在纯铜靶的主溅射区域内,将清洗后的基片放入样品台,调整靶基距为9~10cm;
(3)将本底真空抽到低于7.5×10-4Pa后,充入氩气,调节气压至3~6Pa,加上脉冲电压至600~650V清洗基片8~12min;
(4)开500W射频源调节至靶材起辉,待辉光稳定,调节氮氩流量至比例为1:30,工作气压调至0.4~0.5Pa,溅射功率100W,最后溅射得到用团簇固溶模型稳定N的Cu合金薄膜;
(5)所述Cu合金薄膜在Nb、Ni与N的原子百分比总含量为2~6%时,其硬度为3.5~6.0Gpa,400℃/1h退火后,其硬度为3.0~5.0 Gpa。
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