[发明专利]显示面板及其制作方法和显示装置有效
申请号: | 201610005160.4 | 申请日: | 2016-01-05 |
公开(公告)号: | CN105470285B | 公开(公告)日: | 2018-10-26 |
发明(设计)人: | 许名宏 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;合肥鑫晟光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L21/77 |
代理公司: | 北京志霖恒远知识产权代理事务所(普通合伙) 11435 | 代理人: | 郭栋梁 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 面板 及其 制作方法 显示装置 | ||
1.一种显示面板,包括多个像素,其特征在于,每个像素包括:
白色子像素,所述白色子像素包括串联白光有机发光二极体;
色阻层,设置在所述白色子像素出光方向上,位于所述白色子像素至少一条边的外沿;
所述色阻层设置在所述白色子像素与所述显示面板的宽边平行的两条边的外沿;
所述色阻层设置在所述白色子像素每条边的外沿;
设置在所述白色子像素与所述显示面板的宽边平行的两条边外沿的色阻层的厚度,大于设置在所述白色子像素与所述显示面板的长边平行的两条边外沿的色阻层的厚度。
2.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,还包括:
遮光片,设置在相邻的子像素之间,被所述色阻层覆盖,且截面宽度小于所述色阻层的截面宽度。
3.根据权利要求1至2中任一项所述的显示面板,其特征在于,还包括:
基底,所述色阻层设置在所述基底之上;
平坦层,设置在所述色阻层之上;
所述白色子像素包括:
第一电极层,设置在所述平坦层之上,
其中,所述串联白光有机发光二极体设置在所述第一电极层之上;
第二电极层,包括反光材料,设置在所述串联白光有机发光二极体之上。
4.根据权利要求3所述的显示面板,其特征在于,还包括:
像素界定层,设置在所述第一电极层之上,被所述串联白光有机发光二极体覆盖,或设置在所述色阻层之上,被所述平坦层覆盖,用于界定所述白色子像素的有效发光区域。
5.根据权利要求4所述的显示面板,其特征在于,所述色阻层设置在像素界定层之下,且所述色阻层的内壁和相对应的像素界定层的内壁处于同一平面内。
6.根据权利要求1至2中任一项所述的显示面板,其特征在于,还包括:
基底;
所述白色子像素包括:
第一电极层,设置在所述基底之上;
其中,所述串联白光有机发光二极体设置在所述第一电极层之上,所述第一电极层包括反光材料;
第二电极层,设置在所述串联白光有机发光二极体之上,所述色阻层设置在所述第二电极层之上。
7.根据权利要求6所述的显示面板,其特征在于,还包括:
像素界定层,设置在所述第二电极层之上,位于所述色阻层之下,或设置在所述串联白光有机发光二极体之上,位于所述第二电极层之下。
8.根据权利要求7所述的显示面板,其特征在于,所述色阻层设置在像素界定层之上,且所述色阻层的内壁和相对应的像素界定层的内壁处于同一平面内。
9.一种显示装置,其特征在于,包括权利要求1至8中任一项所述的显示面板。
10.一种显示面板的制作方法,其特征在于,包括:
在基底上形成色阻层;
在所述色阻层之上形成平坦层;
在所述平坦层之上形成白色子像素,所述色阻层位于所述白色子像素至少一条边的外沿;
其中,形成所述白色子像素包括:
在所述平坦层之上形成第一电极层;
在所述第一电极层之上形成串联白光有机发光二极体,
在所述串联白光有机发光二极体之上形成第二电极层,所述第二电极层包括反光材料;
在形成所述串联白光有机发光二极体之前还包括:
在所述第一电极层之上形成像素界定层,以界定所述白色子像素的有效发光区域;
或在形成所述平坦层之前还包括:
在所述色阻层之上形成像素界定层,以界定所述白色子像素的有效发光区域;
形成所述像素界定层包括:
使所述像素界定层的内壁和相对应的色阻层的内壁处于同一平面内。
11.一种显示面板的制作方法,其特征在于,包括:
在基底之上形成白色子像素;
形成所述白色子像素包括:
在基底之上形成第一电极层,所述第一电极层包括反光材料;
在所述第一电极层之上形成串联白光有机发光二极体;
在所述串联白光有机发光二极体之上形成第二电极层;
在所述第二电极层之上形成色阻层,所述色阻层位于所述白色子像素至少一条边的外沿;
在形成所述色阻层之前还包括:
在所述第二电极层之上形成像素界定层;
或在形成所述第二电极层之前还包括:
在所述串联白光有机发光二极体之上形成像素界定层;
形成所述色阻层包括:
使所述色阻层的内壁和相对应的像素界定层的内壁处于同一平面内。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的