[发明专利]一种背光模组及其制作方法、显示装置有效
申请号: | 201610004821.1 | 申请日: | 2016-01-04 |
公开(公告)号: | CN105425469B | 公开(公告)日: | 2018-09-11 |
发明(设计)人: | 董瑞君;陈东;王光泉;孙海威;陈丽莉;曾智辉;禹璐;吴建杰;王倩;孙伟;陈会娟 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方光电科技有限公司 |
主分类号: | G02F1/13357 | 分类号: | G02F1/13357;G02F1/1335;H01L33/00;H01L33/06 |
代理公司: | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人: | 申健 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 背光 模组 及其 制作方法 显示装置 | ||
1.一种背光模组,其特征在于,包括第一电极、位于所述第一电极表面的衬底层,所述衬底层的表面排布有量子线阵列,所述量子线阵列包括多个量子线阵列单元;
所述量子线阵列单元包括依次位于所述衬底层表面的第一缓冲层、有源层、第二缓冲层以及第二电极;所述第二缓冲层完全覆盖所述第一缓冲层和所述有源层;
其中,所述第二缓冲层包括与所述第一缓冲层重叠的重叠区以及除所述重叠区以外的非重叠区;所述第二电极至少与部分所述重叠区重叠。
2.根据权利要求1所述的背光模组,其特征在于,所述衬底层的表面沿所述有源层延伸方向设置有V型槽,每一个所述V型槽与一个所述量子线阵列单元相对应,且所述第一缓冲层和所述有源层完全覆盖所述V型槽。
3.根据权利要求2所述的背光模组,其特征在于,所述第二电极至少与有源层的两端以及该有源层一侧的非重叠区重叠。
4.根据权利要求1所述的背光模组,其特征在于,还包括位于所述衬底层表面的自偏振光栅;
所述自偏振光栅包括间隔设置的遮光部,相邻两个遮光部之间设置有多个所述量子线阵列单元。
5.根据权利要求4所述的背光模组,其特征在于,所述自偏振光栅的表面设置有平坦层。
6.根据权利要求1所述的背光模组,其特征在于,还包括下偏振片,所述下偏振片位于所述量子线阵列单元的出光侧。
7.根据权利要求1所述的背光模组,其特征在于,所述量子线阵列单元还包括位于所述第二电极与所述第二缓冲层之间的接触层,所述第二电极与所述接触层的图案一致。
8.根据权利要求1所述的背光模组,其特征在于,所述衬底层在沿所述量子线阵列单元的延伸方向的两个侧面上,至少在对应所述量子线阵列单元的位置设置有反射层。
9.根据权利要求1所述的背光模组,其特征在于,至少一个所述量子线阵列单元的表面设置有封装层。
10.一种显示装置,包括液晶显示面板,其特征在于,还包括如权利要求1-9任一项所述的背光模组;
所述背光模组位于所述液晶显示面板的非出光侧。
11.根据权利要求10所述的显示装置,其特征在于,所述液晶显示面板包括阵列基板以及位于所述阵列基板远离所述背光模组一侧的液晶层;
所述阵列基板上具有呈矩阵形式排列的亚像素,一个亚像素与一个量子线阵列单元相对应。
12.根据权利要求11所述的显示装置,其特征在于,与构成一个像素单元的三个亚像素分别对应的量子线阵列单元的有效线宽各不相同,用于发出三基色光。
13.根据权利要求11所述的显示装置,其特征在于,与构成一个像素单元的三个亚像素分别对应的量子线阵列单元的有效线宽均相同,且所述显示装置还包括设置于所述液晶显示面板出光侧的光致发光层,用于在所述量子线阵列单元发出光线的激发下,产生三基色光。
14.一种背光模组的制作方法,其特征在于,包括:
在衬底层的上表面形成量子线阵列,所述量子线阵列包括多个量子线阵列单元;
形成所述量子线阵列的步骤包括通过量子线生长工艺,在所述衬底层的上表面依次形成第一缓冲层、有源层、第二缓冲层以及第二电极的图案;所述第二缓冲层完全覆盖所述第一缓冲层和所述有源层;其中,所述第二缓冲层包括与所述第一缓冲层重叠的重叠区以及除所述重叠区以外的非重叠区;所述第二电极至少与部分所述重叠区重叠;
在衬底层的下表面形成第一电极。
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