[发明专利]封装基板及其制作方法

说明书

技术领域

本发明关于一种封装基板以及其制作方法，属于半导体技术领域。

背景技术

新一代电子产品不仅追求轻薄短小的高密度，更有朝向高功率发展的趋势；因此，积体电路(Integrated Circuit，简称IC)技术及其后端的晶片封装技术亦随之进展，以符合此新一代电子产品的效能规格。电路晶片埋入封装基板的内埋元件技术，因为具有降低封装基板产品受到杂讯干扰及产品尺寸减小的优点，近年来已成为本领域制造商的研发重点。现有技术通常是先将电路晶片或晶粒埋入作为封装基板主体的铸模化合物中，再来制作作为封装基板电路布局的导线层。

然而，导线层大多为宽度较窄的细线路，制程难度高，使得当导线层发生制作上的缺陷时，该电路晶片或晶粒也必须连带报废。此外，一旦电路晶片或晶粒被埋入封装基板中，该电路晶片或晶粒与外部电路的电性连接线路将会变得难以处理，例如，额外的雷射开孔、介电材料层压合等加工制程及复杂结构的电性连接线路，这些都会提高制造成本及降低产品良率。因此，有必要发展新的封装基板技术，以对治及改善上述的问题。

发明内容

为达成此目的，本发明提供一种封装基板，其包含：一导线层，包含至少一金属走线；一导电连接单元，位于该导线层上；一电路晶片，具有至少一外接脚垫，并设置于该导电连接单元上；以及一铸模化合物层，包覆该导线层、该导电连接单元及该电路晶片；其中，该导电连接单元用以连接该至少一外接脚垫的其中一个与该至少一金属走线的其中一个。

在一实施例中，该导电连接单元为一金属柱状物。

在一实施例中，该导电连接单元为一焊锡凸块物。

在一实施例中，该封装基板更包含一散热片，其设置于该电路晶片上，并连接该电路晶片。

在一实施例中，该封装基板更包含一金属承载板，其设置于该导线层下。

另一方面，本发明提供一种封装基板的制作方法，其步骤包含：提供一承载板；形成一第一导线层在该承载板上，使得该第一导线层包含至少一第一金属走线；形成一导电连接单元在该第一导线层上；设置一具有至少一外接脚垫的电路晶片在该导电连接单元上，使得该导电连接单元连接该至少一外接脚垫的其中一个与该至少一第一金属走线的其中一个；以及形成一铸模化合物层在该电路晶片上，并使得该铸模化合物层充填该电路晶片与该承载板之间的空间。

在一实施例中，该导电连接单元为一第一金属柱状物。

在一实施例中，该导电连接单元为一焊锡凸块物。

在一实施例中，该方法更包含：移除部分的该铸模化合物层，以露出该电路晶片的上表面；以及移除该承载板。

在一实施例中，该方法更包含：设置一散热片在该电路晶片上，使得该散热片连接该电路晶片的上表面。

在一实施例中，该方法更包含：形成一第二导线层在该铸模化合物层上，使得该第二导线层包含至少一第二金属走线；形成一导电柱层在该第二导线层上，该导电柱层包含至少一第二金属柱状物；以及形成一介电材料层在该铸模化合物层上，并使得该介电材料层包覆该铸模化合物层上所有的该至少一第二金属走线与该至少一第二金属柱状物。

附图说明

图1为根据本发明第一实施例封装基板的剖面示意图。

图2～6为本发明第一实施例封装基板的各个制程步骤的剖面图。

图7A及7B为根据本发明第二实施例的封装基板的剖面示意图。

图8～10为根据本发明第三实施例封装基板的各个制程步骤的剖面图。

附图标记说明：100、200、300—封装基板；110—承载板；120—第一导线层；121～125—第一金属走线；130、131～134—导电连接单元；140—电路晶片；141～144—外接脚垫；150—铸模化合物层；160—散热片；170—第二导线层；171～174—第二金属走线；180—导电柱层；181～184—金属柱状物；190—介电材料层。

具体实施方式

为使对本发明的特征、目的及功能有更进一步的认知与了解，兹配合图式详细说明本发明的实施例如后。在所有的说明书及图示中，将采用相同的元件编号以指定相同或类似的元件。