[发明专利]掩膜图案的形成方法、薄膜晶体管及形成方法、显示装置

权利要求书

1.一种厚度不均的掩膜图案的形成方法，其特征在于，包括：

在衬底上形成负性光刻胶，且所述负性光刻胶具有以下特性：在无氧环境中经过曝光后，被曝光部分能够固化；在有氧环境中经过曝光后，被曝光部分的表面不能固化，除表面外的其他被曝光部分能够固化；

在无氧环境中，利用第一普通掩膜板对所述负性光刻胶进行第一次曝光，以使得所述负性光刻胶的完全固化部被曝光、半固化部和去除部不被曝光；

在有氧环境中，利用第二普通掩膜板对所述负性光刻胶进行第二次曝光，以使得所述负性光刻胶的所述半固化部被曝光、所述去除部不被曝光，具体包括：

所述第二普通掩膜板和所述第一普通掩膜板为同一掩膜板；

在有氧环境中，保持所述第一普通掩膜板与所述负性光刻胶的位置对应关系并调整曝光参数，利用所述第一普通掩膜板对所述负性光刻胶进行第二次曝光，以使得所述负性光刻胶的所述半固化部被曝光、所述去除部不被曝光；

所述调整曝光参数具体包括：

调整曝光机发出光线的角度以使得所述负性光刻胶接受光线照射的范围增大、增加曝光量、增加所述掩膜板与所述衬底之间的距离中的任意一种或其组合；

去除掉未固化的所述负性光刻胶，形成掩膜图案。

2.根据权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述负性光刻胶的所述半固化部位于所述完全固化部和所述去除部之间、并紧邻所述完全固化部。

3.根据权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述增加曝光量具体包括：

增加曝光时间和/或增加曝光机的照度。

4.根据权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述无氧环境为真空环境或者惰性气体环境。

5.根据权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述在有氧环境中，利用第二普通掩膜板对所述负性光刻胶进行第二次曝光，以使得所述负性光刻胶的所述半固化部被曝光、所述去除部不被曝光具体包括：

在有氧环境中，利用第二普通掩膜板对所述负性光刻胶进行第二次曝光，以使得所述负性光刻胶的所述半固化部被曝光、所述去除部不被曝光。

6.根据权利要求2所述的形成方法，其特征在于，所述在有氧环境中，利用第二普通掩膜板对所述负性光刻胶进行第二次曝光，以使得所述负性光刻胶的所述半固化部被曝光、所述去除部不被曝光具体包括：

在有氧环境中，利用第二普通掩膜板对所述负性光刻胶进行第二次曝光，以使得所述负性光刻胶的所述半固化部被曝光、所述去除部不被曝光。

7.根据权利要求1-6任一项所述的形成方法，其特征在于，所述在衬底上形成负性光刻胶具体包括：

在衬底上涂覆负性光刻胶，或者通过转印方法在衬底上形成负性光刻胶。

8.一种薄膜晶体管的形成方法，其特征在于，所述方法包括：

在衬底上依次形成金属氧化物层、刻蚀阻挡层；

在所述刻蚀阻挡层上采用权利要求1-7任一项所述的方法形成厚度不均的掩膜图案，其中，所述掩膜图案包括本体部和位于所述本体部周围的台阶部，且所述本体部的厚度大于所述台阶部的厚度；

刻蚀掉所述金属氧化物层和所述刻蚀阻挡层中所述掩膜图案未覆盖的部分；

对所述掩膜图案进行灰化，以去除所述台阶部、并减薄所述本体部；

刻蚀掉所述刻蚀阻挡层中灰化后的所述掩膜图案未覆盖的部分；

剥离剩下的所述掩膜图案，以形成金属氧化物层图案和刻蚀阻挡层图案。

9.根据权利要求8所述的形成方法，其特征在于，所述金属氧化物层的材料为铟镓锌氧化物、铟锡锌氧化物、锌铟锡氧化物或者镁铟锌氧化物。