[发明专利]彩膜基板、显示面板和显示装置在审
申请号: | 201610003762.6 | 申请日: | 2016-01-04 |
公开(公告)号: | CN105607332A | 公开(公告)日: | 2016-05-25 |
发明(设计)人: | 蒋昆;王建;张瑞辰;赵伟;李娜;宋雪超;王春雷 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方光电科技有限公司 |
主分类号: | G02F1/1335 | 分类号: | G02F1/1335 |
代理公司: | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人: | 许静;黄灿 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 彩膜基板 显示 面板 显示装置 | ||
技术领域
本发明属于显示技术领域,具体涉及一种彩膜基板、显示面板和显示装置。
背景技术
静电放电(ElectrostaticDischarge,简称ESD)会以极高的强度迅速发生, 击穿半导体器件,或者产生足够的热量融化半导体器件,从而引起部分元器件 的损毁、报废,带来极大的经济损失。
在显示装置的制造、生产、组装、测试等过程中,由于摩擦容易在显示装 置上产生静电,或者由于电连接,空气、人体或其他带电物体中的外界静电会 转移至显示装置。当基板表面静电长时间累积时,会发生静电放电,基板上的 膜层被击穿,从而损毁基板表面的半导体器件。
水平电场(IPS或ADS)模式的液晶显示屏是目前运用最广泛的液晶显示 模式之一。对于水平电场模式的液晶显示屏,公共电极和像素电极均形成在阵 列基板上,彩膜基板上没有导电的膜层,静电容易累积,从而造成静电放电, 损毁显示装置。
为了防止该问题,通常在彩膜基板的背面制作ITO(氧化铟锡)薄膜来释 放静电,但是在彩膜基板背面制作ITO薄膜的方法存在ITO薄膜容易受到机械 破坏等问题。另外,如果在彩膜基板内侧制作ITO(氧化铟锡)薄膜来释放静 电,则存在着外界静电经由ITO导电薄膜进入显示装置内部导致静电累积的问 题。
发明内容
本发明的目的是提供一种彩膜基板、显示面板和显示装置,用以解决现有 技术中ITO薄膜容易受到机械破坏或者外界静电经由ITO导电薄膜进入显示装 置内部导致静电累积等问题。
为实现上述目的,本发明提供了一种彩膜基板,包括位于所述彩膜基板的 彩膜侧的导电层,在所述导电层的周边部设置有用于隔绝外界静电的隔离带, 所述隔离带设置有缺口,位于所述隔离带内侧的内侧导电层设置有用于导出静 电的延伸部,所述延伸部通过缺口延伸至彩膜基板边缘。通过在导电层的周边 部设置隔离带,有效的隔绝外界静电,防止基板上的静电累积。通过将导电层 设置在彩膜基板的彩膜侧上,避免了导电层容易受到机械破坏。
较佳地,所述隔离带为设置在导电层周边部的槽。
较佳地,所述隔离带从内侧导电层边缘延伸至彩膜基板边缘。
较佳地,所述导电层为具有导电性能的黑矩阵。将黑矩阵作为导电层,避 免了ITO薄膜复杂的工艺制程,简化了工艺,降低了成本,同时避免了ITO薄 膜损伤带来的显示问题,提高了显示装置的透过率。
较佳地,所述黑矩阵为掺杂导电物的黑矩阵。进一步地,所述导电物为炭 黑、碳纳米管、石墨、金属粉的一种或多种。
较佳地,所述黑矩阵为经过光学改性处理的导电高分子材料。
较佳地,所述黑矩阵为金属铬材料。
较佳地,所述彩膜基板上还包括设置在所述黑矩阵上的绝缘平坦层,所述 绝缘平坦层具有填充在所述隔离带中的凸部。
较佳地,所述导电层为透明氧化铟锡。
本发明还提供一种显示面板,该显示面板包括上述彩膜基板,还包括阵列 基板,在所述阵列基板上设置有接地部,所述延伸部与接地部电连接。
进一步地,彩膜基板和阵列基板通过封框胶连接,所述封框胶外边缘位于 内侧导电层外边缘的外侧。通过封框胶保护内侧导电层外边缘,阻断外界静电 进入显示装置内部。
本发明还提供一种显示装置,该显示装置包括上述显示面板。
本发明的有益效果:本发明提供的彩膜基板包括导电层和用于隔绝外界静 电的绝缘隔离带,防止外界静电进入显示装置内部,减少了静电累积。导电层 设置于彩膜基板内部,不会产生导电层受到机械破坏的问题。同时采用具有导 电性能的黑矩阵作为导电层,提高了显示装置的透过率,节省了工艺步骤。通 过一次构图工艺形成导电层和绝缘隔离带,简化了工艺,降低了成本。
附图说明
图1为本发明实施例一彩膜基板和显示面板的平面图;
图2为本发明实施例一彩膜基板和显示面板沿A-A方向的截面图;
图3为本发明实施例一彩膜基板和显示面板沿B-B方向的截面图;
图4为本发明实施例二彩膜基板和显示面板的平面图;
图5为本发明实施例二彩膜基板和显示面板沿C-C方向的截面图;
图6为本发明实施例三彩膜基板和显示面板的平面图;
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