[发明专利]TFT基板的制作方法

说明书

本发明提供一种TFT基板的制作方法，通过在沉积层间介电层之前对栅极绝缘层表面进行等离子体处理，增强其表面附着力，之后在栅极绝缘层上沉积层间介电层，从而增强了层间介电层与栅极绝缘层之间的粘着力，可以防止在后高温制程中造成层间介电层裂纹或者脱落的问题，提高产品良率，提高TFT基板的电学性能。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种TFT基板的制作方法。

背景技术

随着显示技术的发展，液晶显示器(Liquid Crystal Display，LCD)等平面显示装置因具有高画质、省电、机身薄及应用范围广等优点，而被广泛的应用于手机、电视、个人数字助理、数字相机、笔记本电脑、台式计算机等各种消费性电子产品，成为显示装置中的主流。

现有市场上的液晶显示装置大部分为背光型液晶显示器，其包括液晶显示面板及背光模组(backlight module)。液晶显示面板的工作原理是在两片平行的玻璃基板当中放置液晶分子，两片玻璃基板中间有许多垂直和水平的细小电线，通过通电与否来控制液晶分子改变方向，将背光模组的光线折射出来产生画面。

通常液晶显示面板由彩膜(CF，Color Filter)基板、薄膜晶体管(TFT，Thin FilmTransistor)基板、夹于彩膜基板与薄膜晶体管基板之间的液晶(LC，Liquid Crystal)及密封胶框(Sealant)组成，其成型工艺一般包括：前段阵列(Array)制程(薄膜、黄光、蚀刻及剥膜)、中段成盒(Cell)制程(TFT基板与CF基板贴合)及后段模组组装制程(驱动IC与印刷电路板压合)。其中，前段Array制程主要是形成TFT基板，以便于控制液晶分子的运动；中段Cell制程主要是在TFT基板与CF基板之间添加液晶；后段模组组装制程主要是驱动IC压合与印刷电路板的整合，进而驱动液晶分子转动，显示图像。

低温多晶硅(Low temperature poly-silicon，简称LTPS)，由于其具有高的电子迁移率，可以有效的减小TFT的器件的面积，从而提升像素的开口率。增大面板显示亮度的同时可以降低整体的功耗，使得面板的制造成本大幅度降低。

在LTPS制作工艺中会使用氮化硅，氧化硅或者氮化硅与氧化硅多层结构作为层间介电层(interlayer dielectric，ILD)，在后续氢化及活化的高温制程中由于附着力不佳或者应力不匹配容易使ILD膜脱落，极大影响产品良率。

发明内容

本发明的目的在于提供一种TFT基板的制作方法，可以增强层间介电层与栅极绝缘层之间的粘着力，从而防止在后高温制程中造成层间介电层裂纹或者脱落的问题，提高产品良率。

为实现上述目的，本发明提供一种TFT基板的制作方法，包括如下步骤：

步骤1、提供一基板，在所述基板上形成间隔设置的第一遮光层与第二遮光层，在所述第一遮光层、第二遮光层与基板上形成缓冲层；

步骤2、在所述缓冲层上形成分别对应于第一遮光层与第二遮光层的第一多晶硅层与第二多晶硅层，分别对所述第一多晶硅层与第二多晶硅层进行离子掺杂，在所述多晶硅层上形成位于两侧的第一重掺杂区、位于中间的第一沟道区、及位于所述第一重掺杂区与第一沟道区之间的第一轻掺杂区，在所述第二多晶硅层上形成位于两侧的第二重掺杂区、及位于中间的第二沟道区；

步骤3、在所述第一多晶硅层、第二多晶硅层、及缓冲层上沉积栅极绝缘层，在所述栅极绝缘层上形成分别对应于第一多晶硅层与第二多晶硅层的第一栅极与第二栅极；

步骤4、对暴露出来的栅极绝缘层表面进行等离子体处理，以增强栅极绝缘层表面的附着力；

步骤5、在栅极绝缘层及第一栅极、第二栅极上沉积层间介电层，然后通过高温制程对所述层间介电层进行氢化和活化；