[发明专利]一种兰草栽培方法在审
申请号: | 201610001073.1 | 申请日: | 2016-01-05 |
公开(公告)号: | CN105638466A | 公开(公告)日: | 2016-06-08 |
发明(设计)人: | 刘华武 | 申请(专利权)人: | 刘华武 |
主分类号: | A01H4/00 | 分类号: | A01H4/00 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 237300 安徽省*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 兰草 栽培 方法 | ||
1.一种兰草栽培方法,其特征在于,具体栽培步骤如下:
1)每年2-3月份,选取兰花当年生且未萌发侧芽的枝条,在无菌环境中切取其茎尖组织,切取的茎尖组织用电场强度为15-20kv/cm、脉冲数为80-100个、脉冲宽度为1us的高压脉冲电场处理;
2)将茎尖组织迅速接种至经高压灭菌的MS固体培养基上,每隔5天用电场强度为28-30kv/cm、脉冲数为200-250个、脉冲宽度为10us的高压脉冲电场处理一次,每天用1000-2500lx的红光灯照射4-6小时,用1000-2500lx的蓝光灯照射4-6小时;
3)将干羊粪粉碎至10-15目,将粉碎后的干羊粪与园土、腐殖土、煤灰按2:3:1:0.01的重量比混合均匀,得到栽培土,当茎尖组织生出3-5条根时,移栽至栽培土中,每隔7天用电场强度为40-50kv/cm、脉冲数为100-120个、脉冲宽度为5us的高压脉冲电场处理一次。
2.根据权利要求1所述的一种兰草栽培方法,其特征在于,将切取的茎尖组织用电场强度为15kv/cm、脉冲数为80个、脉冲宽度为1us的高压脉冲电场处理。
3.根据权利要求1所述的一种兰草栽培方法,其特征在于,茎尖组织接种至经高压灭菌的MS固体培养基上后,每天用1000lx的红光灯照射6小时后,再用2500lx的蓝光灯照射6小时。
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