[其他]用于在基板上进行层沉积的设备

说明书

本公开内容涉及一种用于在基板上进行层沉积的设备。所述设备包括：真空腔室，所述真空腔室具有用于处理基板的处理区；有至少三个溅射阴极的阵列，其中所述至少三个溅射阴极各自提供等离子体区，其中在所述至少三个溅射阴极的操作期间供应沉积材料；以及控制器，所述控制器被配置以用于仅使每个等离子体区围绕相应旋转轴线从第一旋转位置旋转至第二旋转位置一次，其中在所述第一旋转位置中，引导每个等离子体区远离所述处理区，并且其中所述控制器被配置以用于通过使每个等离子体区从所述第一旋转位置旋转至所述第二旋转位置而使每个等离子体区在所述处理区上方移动。

技术领域

本公开内容的实施方式涉及一种用于控制材料沉积工艺的控制器和一种用于在基板上进行层沉积的设备。本公开内容的实施方式具体来说涉及在基板上进行材料沉积的溅射工艺、一种用于控制溅射工艺的控制器和一种溅射设备。

背景技术

已知在基板上沉积材料的若干方法。例如，基板可通过物理气相沉积 (PVD)工艺、化学气相沉积(CVD)工艺或等离子体增强化学气相沉积 (PECVD)工艺等等涂覆。所述工艺可在待涂覆的基板所位于的工艺设备或处理腔室中进行。在设备中提供沉积材料。多种材料，诸如金属材料，(也包括其氧化物、氮化物或碳化物)都可用于在基板上沉积。已涂覆的材料可用于若干应用和若干技术领域中。例如，用于显示器的基板可通过诸如溅射工艺的物理气相沉积(PVD)工艺来涂覆，例如，以在基板上形成薄膜晶体管(TETs)。

随着新显示器技术发展和朝更大显示器尺寸发展的趋势，一直存在对用于提供改善性能(例如，针对电气特性和/或光学特性)的显示器的层或膜的需求。例如，具有高纯度的层或层系统是有益的。此外，已沉积层的均匀性(诸如均匀厚度和均匀材料组分分布)是有益的。这特定应用于薄层，例如，可以将薄层用于形成薄膜晶体管(TETs)。鉴于上述，有益的是，沉积具有改善纯度和/或均匀性的层。此外，应当最小化用于层沉积的工艺时间，从而使用于层沉积的设备的产量提高。

鉴于上述，克服本领域的至少一些问题的用于控制材料沉积工艺的新型控制器和用于在基板上进行层沉积的设备是有益的。

实用新型内容

鉴于上述，提供了一种用于控制材料沉积工艺的控制器、和一种用于在基板上进行层沉积的设备。本公开内容的另外方面、优点和特征从权利要求书、说明书和附图显而易见。

根据本公开内容的一个方面，提供了一种用于在基板上进行层沉积的设备。所述设备包括真空腔室，真空腔室具有用于处理基板的处理区；有至少三个溅射阴极的阵列，其中至少三个溅射阴极各自提供等离子体区，在等离子体区中在至少三个溅射阴极的操作期间供应沉积材料；以及控制器，所述控制器被配置以用于仅使每个等离子体区围绕相应旋转轴线从第一旋转位置旋转至第二旋转位置一次，其中在第一旋转位置中，引导每个等离子体区远离处理区，并且其中所述控制器被配置以用于通过使每个等离子体区从第一旋转位置旋转至第二旋转位置而使每个等离子体区在处理区上方移动。

根据另一方面，提供一种用于控制材料沉积工艺的控制器。所述控制器被配置以执行在基板上进行材料沉积的方法，所述方法包括：将基板移入真空腔室中的处理区中，所述真空腔室具有有至少三个溅射阴极的阵列，其中所述至少三个溅射阴极各自提供等离子体区，其中在所述至少三个溅射阴极的操作期间供应沉积材料；以及仅使每个等离子体区围绕相应旋转轴线从第一旋转位置旋转至第二旋转位置一次，其中在所述第一旋转位置中，引导每个等离子体区远离所述处理区，并且其中在从所述第一旋转位置旋转至所述第二旋转位置期间每个等离子体区在所述处理区上方移动。

所述控制器被配置以执行所述方法，其中在从所述第一旋转位置旋转至所述第二旋转位置期间所述等离子体区在所述处理区上方移动的同时，由所述等离子体区提供的所述沉积材料沉积在所述基板上，和其中使所述等离子体区围绕所述旋转轴线旋转一次包括使磁体组件围绕所述相应旋转轴线旋转。