[发明专利]具有富锗沟道区的降低泄漏的晶体管

权利要求书

1.一种集成电路晶体管器件，其包括：

衬底；

从衬底延伸的半导体鳍，该鳍包括：

沟道层，其包括沟道区、源极区和漏极区；以及

包括腔的子鳍绝缘层，该腔设置在沟道层和底层衬底之间，其中该腔由衬有电介质材料的壁来限定；以及

接近该鳍的不活动鳍，该不活动鳍包括：

从衬底延伸的不活动沟道层；以及

在不活动沟道层下面的子鳍区，该子鳍区具有与衬底相同的成分。

2.根据权利要求1所述的集成电路晶体管器件，其中设置在沟道层和底层衬底之间的腔进一步延伸以使得它还在衬底与鳍的源极区和漏极区中的一个的至少一部分或这二者的至少一部分之间。

3.根据权利要求1所述的集成电路晶体管器件，进一步包括：

在沟道区上的栅极电介质材料；以及

在栅极电介质材料上的栅极电极材料。

4.根据权利要求3所述的集成电路晶体管器件，其中形成该腔的衬里的电介质材料与该栅极电介质材料相同。

5.根据权利要求4所述的集成电路晶体管器件，其中衬有该栅极电介质材料的腔进一步至少部分填充有该栅极电极材料。

6.根据权利要求1所述的集成电路晶体管器件，进一步包括：

在沟道区上的栅极电介质材料；以及

在栅极电介质材料上的栅极电极材料，其中形成该腔的衬里的电介质材料是与该栅极电介质材料不同的材料。

7.根据权利要求1所述的集成电路晶体管器件，其中该子鳍绝缘层具有与鳍的宽度相对应的宽度。

8.根据权利要求1所述的集成电路晶体管器件，其中形成该腔的壁的衬里的电介质材料进一步限定具有平行于鳍的长度的长度的细长空隙。

9.根据权利要求1所述的集成电路晶体管器件，其中该腔包括气隙。

10.根据权利要求1所述的集成电路晶体管器件，其中该腔至少部分填充有与形成该腔的壁的衬里的电介质材料不同的另一材料。

11.根据权利要求1所述的集成电路晶体管器件，其中该腔的壁完全涂覆有形成该腔的壁的衬里的电介质材料，以使得该腔壁的所有部分都被涂覆有该电介质材料。

12.一种包括权利要求1-11中的任一项的集成电路晶体管器件的计算系统。

13.一种半导体器件，包括：

衬底；

从衬底延伸的多个活动鳍，该活动鳍中的每一个都包括：

沟道层，其包括沟道区、源极区和漏极区；以及

包括腔的子鳍绝缘层，该腔设置在沟道层与底层衬底之间，以及衬底与源极区和漏极区中的每一个的至少一部分之间，其中该腔由衬有电介质材料的壁来限定；

从衬底延伸的多个不活动鳍，该不活动鳍中的每一个都包括：

从衬底延伸的不活动沟道层；以及

在不活动沟道层下面的子鳍区，该子鳍区具有与衬底相同的成分。

14.根据权利要求13所述的半导体器件，进一步包括：

在沟道区上的栅极电介质材料；以及

在栅极电介质材料上的栅极电极材料。

15.根据权利要求14所述的半导体器件，其中形成该腔的衬里的电介质材料与该栅极电介质材料相同。

16.根据权利要求15所述的半导体器件，其中衬有该栅极电介质材料的腔进一步至少部分填充有该栅极电极材料。

17.根据权利要求13所述的半导体器件，其中该子鳍绝缘层具有与鳍的整个长度相对应的长度。