[发明专利]功率放大器

说明书

使用夹着栅极叉指(101)～(110)而交替地配置有源极叉指(201)～(206)和漏极叉指(301)～(305)的多叉指晶体管。将与栅极叉指(101)～(110)的端部相比越靠近中央部侧则越向电感性进行相位旋转的线路(10)和线路(20)，在栅极侧的区域搭载于源极叉指(201)～(206)。

技术领域

本发明涉及以高效率动作的功率放大器。

背景技术

在通信装置、雷达装置等安装将发送信号的功率放大至希望的等级的功率放大器。在这样的功率放大器中，使用高电子迁移率晶体管即HEMT(High Electron MobilityTransistor)、场效应晶体管即FET(Field Effect Transistor)等半导体元件。

伴随功率放大器的高输出化，半导体元件的自身发热增加。为了减轻由半导体元件的自身发热导致的性能劣化，要求功率放大器的高效率化。作为用于将功率放大器高效率化的方法，当前，例如如专利文献1所示，存在搭载有谐波处理电路的功率放大器。在该功率放大器中，通过在输入侧设置谐波处理电路，从而将相对于半导体元件的栅极端子处的2次谐波的阻抗短路，由此，使半导体元件的漏极-源极间2次谐波的电压成为0。由此，抑制谐波下的电力损耗，实现了功率放大器的高效率化。

专利文献1：日本特开2008-109227号公报

发明内容

但是，在当前的功率放大器中残留有下述课题，即，在作为半导体元件而使用了在1个单元内具有多个叉指的多叉指晶体管的情况下，从谐波处理电路至各叉指为止的距离不同，因此在2次谐波下各栅极叉指处的栅极-源极间电压彼此不同，无法对各叉指充分得到通过谐波处理实现的高效率化的效果。

本发明就是为了解决上述的课题而提出的，其目的在于得到能够实现高效率化的功率放大器。

本发明涉及的功率放大器具有多叉指晶体管，该多叉指晶体管构成为，夹着栅极叉指而交替地配置源极叉指和漏极叉指，且具有多个上述栅极叉指、源极叉指及漏极叉指，将越是与多个栅极叉指中的端部的栅极叉指相比位置靠近信号输入端侧即中央部的栅极叉指则越向电感性进行相位旋转的线路，在栅极侧的区域搭载于多个源极叉指。

发明的效果

本发明涉及的功率放大器，将与多个栅极叉指的端部相比越靠近中央部侧则越向电感性进行相位旋转的线路，在栅极侧的区域搭载于多个源极叉指。由此，能够减轻栅极叉指间的电压相位的波动，实现高效率化。

附图说明

图1是本发明的实施方式1的功率放大器的结构图。

图2是本发明的实施方式1的功率放大器的等价电路图。

图3是表示本发明的实施方式1的功率放大器中的谐波处理电路的一个例子的电路图。

图4是本发明的实施方式1的功率放大器中的1叉指份的晶体管的等价电路图。

图5是与现有技术进行比较而示出本发明的实施方式1的功率放大器的效果的说明图。

图6是本发明的实施方式2的功率放大器的结构图。

图7是本发明的实施方式3的功率放大器的结构图。

具体实施方式

下面，为了更详细地对本发明进行说明，根据附图对用于实施本发明的方案进行说明。

实施方式1.

图1表示本实施方式涉及的功率放大器的式样(pattern)，表示多叉指晶体管的1个单元份。多叉指晶体管是指下述晶体管，即，在半导体基板之上的有源区域夹着栅极叉指而交替地配置源极叉指和漏极叉指，存在大于或等于2根栅极叉指。