[发明专利]片上集成无源器件

权利要求书

1.一种用于片上集成无源器件的设备，包括：

半导体管芯；

半导体管芯封装，所述封装的第一侧与所述半导体管芯耦合；以及

一个或多个单独管芯，用以提供用于所述半导体管芯的操作的多个无源部件：

其中用于所述半导体管芯的操作的所述多个无源部件包括多个电感器和多个电容器，

其中所述一个或多个单独管芯中的第一单独管芯包括在所述第一单独管芯的第一侧上的无源部件的第一集合，以及在所述第一单独管芯的第二、相反侧上的无源部件的第二、不同集合。

2.根据权利要求1所述的设备，其中所述一个或多个单独管芯进一步包括一个或多个高电压晶体管。

3.根据权利要求2所述的设备，其中所述一个或多个高电压晶体管包括一个或多个GaN（氮化镓）晶体管。

4.根据权利要求1所述的设备，其中所述一个或多个单独管芯与所述封装的第二、相反侧耦合，并且穿过所述封装与所述半导体管芯电连接。

5.根据权利要求4所述的设备，进一步包括主板，将所述一个或多个单独管芯耦合在所述封装与所述主板之间，所述封装通过焊球连接到所述主板。

6.根据权利要求1所述的设备，进一步包括在所述半导体管芯与所述半导体管芯封装之间的插入件，其中将所述一个或多个单独管芯嵌入所述插入件内部。

7.根据权利要求1所述的设备，其中所述第一单独管芯的第一侧包括第一类型电容器的集合和电感器的集合，以及所述第一单独管芯的第二侧包括第二类型电容器的集合。

8.根据权利要求7所述的设备，其中所述第一类型电容器是二维平面电容器。

9.根据权利要求7所述的设备，其中所述第一单独管芯包括多孔材料，以及其中所述第二类型电容器包括在所述多孔材料的孔中形成的三维电容器。

10.根据权利要求9所述的设备，其中所述三维电容器是MIM（金属-绝缘体-金属）电容器。

11.根据权利要求1所述的设备，其中所述半导体管芯是片上系统（SoC）。

12.一种用于片上集成无源器件的方法，包括：

制造一个或多个单独管芯，所述一个或多个单独管芯包括多个无源部件；

将半导体管芯封装的第一侧与半导体管芯耦合；以及

将所述一个或多个单独管芯与所述半导体管芯封装耦合，以提供用于所述半导体管芯的操作的无源部件；

其中所述多个无源部件包括一个或多个电感器和多个电容器，

其中制造所述一个或多个单独管芯包括制造第一单独管芯，所述第一单独管芯具有在所述第一单独管芯的第一侧上的无源部件的第一集合和在所述第一单独管芯的第二、相反侧上的无源部件的第二、不同集合。

13.根据权利要求12所述的方法，其中所述一个或多个单独管芯进一步包括一个或多个高电压晶体管。

14.根据权利要求12所述的方法，其中将所述一个或多个单独管芯与所述半导体管芯封装耦合包括将所述一个或多个单独管芯与所述封装的第二、相反侧耦合，以及穿过所述封装将所述一个或多个单独管芯与所述半导体管芯电连接。

15.根据权利要求12所述的方法，其中所述第一单独管芯的第一侧包括第一类型电容器的集合和电感器的集合，以及所述第一单独管芯的第二侧包括第二类型电容器的集合。

16.根据权利要求15所述的方法，其中所述第一类型电容器是二维平面电容器。