[发明专利]基于全量子点的光电子器件

权利要求书

1.一种全量子点的光电子器件，包括：

电子传输层，

活性层，以及

空穴传输层，其中

电子传输层、活性层和空穴传输层中的每一层包括相同材料的量子点，并且

电子传输层的量子点被配置成传输电子，空穴传输层的量子点被配置成传输空穴，并且活性层的量子点被配置成实现光吸收和/或光发射。

2.如权利要求1所述的光电子器件，其中

电子传输层、活性层和空穴传输层的量子点是胶体量子点。

3.如权利要求1所述的光电子器件，其中

电子传输层、活性层和空穴传输层的量子点尺寸不同，其中，

活性层的量子点的尺寸大于电子传输层的量子点的尺寸和空穴传输层的量子点的尺寸，和/或

电子传输层的量子点的尺寸大于空穴传输层的量子点的尺寸。

4.如权利要求1所述的光电子器件，其中

电子传输层、活性层和空穴传输层中的至少一层的量子点的尺寸被配置成使得所述量子点具有有着预定最大值的光吸收和/或发射光谱。

5.如权利要求1所述的光电子器件，其中

电子传输层包括两层量子点，和/或

活性层包括两层量子点，和/或

空穴传输层包括四层量子点。

6.如权利要求1所述的光电子器件，其中

电子传输层、活性层和空穴传输层中的至少一层的量子点包括表面附着的配体。

7.如权利要求6所述的光电子器件，其中

电子传输层和空穴传输层中的至少一层的量子点被用表面附着的配体掺杂。

8.如权利要求6所述的光电子器件，其中

电子传输层的量子点的表面附着的配体被配置成从电子传输层的量子点提取空穴，和/或

空穴传输层的量子点的表面附着的配体被配置成从空穴传输层的量子点提取电子。

9.如权利要求6所述的光电子器件，其中

电子传输层的量子点的表面附着的配体包括无机阳离子和/或空穴传输层的量子点(16)的表面附着的配体包括硫醇。

10.如权利要求6所述的光电子器件，其中

空穴传输层的量子点的表面附着的配体包括巯基丙酸(MPA)。

11.如权利要求6所述的光电子器件，其中

活性层的量子点的表面附着的配体包括巯基辛酸(MOA)。

12.如权利要求6所述的光电子器件，其中

电子传输层的量子点的表面附着的配体包括四丁基碘化铵(TBAI)。

13.如权利要求1所述的光电子器件，其中

电子传输层、活性层和空穴传输层的量子点包括硫化铅(II)(PbS)。

14.一种制造全量子点的光电子器件的方法，包括以下步骤：

提供空穴传输层，

提供活性层，以及

提供电子传输层，其中

提供空穴传输层、提供活性层和提供电子传输层的步骤中的每一步骤包括提供至少一层相同材料的量子点，并且

电子传输层的量子点被配置成传输电子，空穴传输层的量子点被配置成传输空穴，并且活性层的量子点被配置成实现光吸收和/或光发射。

15.如权利要求14所述的方法，其中

在提供空穴传输层、提供活性层和提供电子传输层的步骤之前，该方法还包括：

提供预定材料，具体地是硫化铅(II)(PbS)，以及制备所述材料的电子传输层、活性层和空穴传输层的量子点。