[发明专利]静电放电保护装置以及电路设备

权利要求书

1.一种电路设备（1），包括可编程装置和静电放电ESD保护装置（10），其中

—所述电路设备（1）包括用于所述电路设备（1）的电源的导轨电源，

—可编程装置包括用于提供用于对可编程装置编程的高电压脉冲的高电压供给端子（HV_PAD）并且ESD保护装置（10）被耦合到可编程装置的高电压供给端子（HV_PAD），

其中ESD保护装置（10）包括检测电路（30）、控制电路（20）和晶体管（Mesd），其中：

—检测电路（30）被布置和配置为在高电压供给端子（HV_PAD）上的正ESD事件和高电压上升焊盘脉冲之间进行区分，其中检测电路（30）包括阈值检测电路（30），其被配置为当检测电路（30）的输入信号超过给定的阈值时检测到ESD事件，阈值被设定为高于所要求的用于对可编程装置编程的高电压焊盘脉冲，

—控制电路（20）被配置为取决于检测电路（30）的检测输出信号而在其输出上提供控制信号，

—晶体管（Mesd）耦合到基准电位端子（GND）和高电压供给端子（HV_PAD），并且晶体管（Mesd）的控制输入被耦合到控制电路（20）的输出。

2.根据权利要求1所述的电路设备（1），其中ESD保护装置（10）包括用于将高电压供给端子（HV_PAD）AC耦合或高通耦合到检测电路（30）的输入的电容器电路（40）。

3.根据权利要求1所述的电路设备（1），其中检测电路（30）的阈值是可配置的。

4.根据权利要求1所述的电路设备（1），其中阈值检测电路（30）包括比较器。

5.根据权利要求4所述的电路设备（1），其中比较器包括分压器和第一反相器，其中分压器与电容器电路（40）串联连接，并且第一反相器的输入被耦合到分压器以用于分接出分压器的部分电压。

6.根据权利要求1所述的电路设备（1），其中检测电路（30）仅包括晶体管作为有源组件。

7.根据权利要求1所述的电路设备（1），其中控制电路（20）包括第二反相器。

8.根据权利要求1所述的电路设备（1），其中晶体管（Mesd）包括串联布置的两个低电压n沟道金属氧化物半导体场效应晶体管NMOS_1、NMOS_2。

9.根据权利要求1所述的电路设备（1），其中晶体管（Mesd）包括串联布置的两个低电压n沟道金属氧化物半导体场效应晶体管NMOS_1、NMOS_2，其中相应的NMOS晶体管的每个被布置在深N阱中。

10.根据权利要求1所述的电路设备（1），其中晶体管（Mesd）包括高电压n沟道金属氧化物半导体场效应晶体管，所述高电压n沟道金属氧化物半导体场效应晶体管包括高电压N阱和P阱。