[发明专利]制作背侧金属的接触部的卷绕源极/漏极方法

权利要求书

1.一种用于晶体管器件的方法，包括：

形成包括位于源极和漏极之间的沟道以及位于所述沟道上限定晶体管器件的第一侧的栅极电极的所述器件；

从所述第一侧形成到所述源极和所述漏极中的一个的导电接触部；以及

在所述器件的第二侧上形成互连，其中所述互连耦合到所述接触部，

其中形成所述晶体管器件包括形成在衬底上的鳍以及在所述鳍中分隔所述沟道的所述源极和所述漏极和在所述鳍的所述沟道上的所述栅极电极；并且在形成所述晶体管器件之后，将所述鳍的相反侧部分嵌入在电介质材料中以及在形成所述接触部之前，所述方法包括在与所述鳍的所述相反侧部分相邻的所述电介质材料中形成开口；并且形成所述接触部包括在所述开口中形成所述接触部。

2.如权利要求1所述的方法，其中所述源极和所述漏极中的所述一个包括包含第一侧壁和相反的第二侧壁的本体，其中形成所述接触部包括在所述本体的所述第一侧壁和所述第二侧壁中的每个上部署这样的接触部。

3.如权利要求2所述的方法，其中所述第一侧壁和所述第二侧壁分隔所述本体的厚度尺寸，并且形成所述接触部包括桥接所述厚度尺寸。

4.如权利要求2所述的方法，其中所述接触部包括具有与所述第一侧壁相邻的第一部分和与所述第二侧壁相邻的第二部分的器件侧接触部，所述方法还包括形成耦合到所述器件侧接触部的所述第一部分和所述第二部分中的每个的背侧接触部。

5.如权利要求4所述的方法，其中形成所述互连包括将所述互连耦合到所述背侧接触部。

6.一种用于晶体管器件的方法，包括：

形成非平面晶体管器件，其包括位于衬底上的鳍以及位于所述鳍中分隔沟道的源极和漏极和位于所述鳍的所述沟道上限定所述器件的第一侧的栅极电极；

从所述第一侧形成到所述晶体管器件的导电接触部；

将所述衬底接合到载体，其中所述晶体管器件面对所述载体；

去除所述衬底以便暴露与所述第一侧相反的所述器件的第二侧；以及

从所述器件的所述第二侧形成到所述接触部的互连，

其中形成到所述晶体管器件的所述接触部包括形成到所述源极和所述漏极中的一个的所述接触部，

其中形成所述接触部包括相邻于所述鳍的第一侧壁和第二侧壁中的每个部署这样的接触部，

其中在形成所述晶体管器件之后，所述方法包括将所述鳍的相反侧部分嵌入在电介质材料中；并且在形成所述接触部之前，所述方法包括在与所述鳍的所述相反侧部分相邻的所述电介质材料中形成开口；并且形成所述接触部包括在所述开口中形成所述接触部。

7.如权利要求6所述的方法，其中所述第一侧壁和所述第二侧壁分隔所述鳍的厚度尺寸，并且形成所述接触部包括桥接所述厚度尺寸。

8.如权利要求6所述的方法，其中所述接触部包括具有与所述鳍的所述第一侧壁相邻的第一部分和与所述鳍的所述第二侧壁相邻的第二部分的器件侧接触部，所述方法还包括形成耦合到所述器件侧接触部的所述第一部分和所述第二部分中的每个的背侧接触部。

9.如权利要求8所述的方法，其中形成所述互连包括将所述互连耦合到所述背侧接触部。

10.如权利要求6所述的方法，还包括从所述器件的所述第一侧形成到所述晶体管器件的互连。